| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| BUZ30A H | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 | 0 | 500:$1.33246 |
| IPP180N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 400V 43A TO220-3 | 0 | 1:$1.59000 10:$1.43700 25:$1.28280 100:$1.15450 250:$1.02620 500:$0.89792 1,000:$0.74400 2,500:$0.69268 5,000:$0.66703 |
| 類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 21A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 130 毫歐 @ 13.5A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | - |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1900pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 125W |
| 安裝類(lèi)型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-220-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO220-3 |
| 包裝: | 管件 |