元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|
IPD65R420CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252 | 5,000 | 1:$3.54000 10:$3.18300 25:$2.88840 100:$2.59360 250:$2.35780 500:$2.06308 1,000:$1.76835 |
IPD65R420CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252 | 5,000 | 2,500:$1.56794 5,000:$1.50310 12,500:$1.46184 25,000:$1.41468 |
類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
---|---|
FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 8.7A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 420 毫歐 @ 3.4A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 4.5V @ 340µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 870pF @ 100V |
功率 - 最大: | 83.3W |
安裝類(lèi)型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO252 |
包裝: | 剪切帶 (CT) |