元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
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SI5857DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET | 0 | |
SI5858DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET | 0 | 3,000:$0.40500 6,000:$0.38250 12,000:$0.37800 24,000:$0.37200 51,000:$0.36000 |
SIA443DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 | 0 | |
SIA443DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 | 0 | |
SI4398DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC | 0 |
類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 二極管(隔離式) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 6A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 58 毫歐 @ 3.6A,4.5V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 1.5V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 480pF @ 10V |
功率 - 最大: | 10.4W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | PowerPAK? CHIPFET? 雙 |
供應商設備封裝: | PowerPAK? ChipFet 雙 |
包裝: | 剪切帶 (CT) |