分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIA810DJ-T1-E3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
SIA810DJ-T1-E3 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| SIA810DJ-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 |
0 |
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| SIA810DJ-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6 |
0 |
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| IRC530PBF |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220-5 |
0 |
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| SIB412DK-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 |
0 |
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| SIB412DK-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 |
0 |
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SIA810DJ-T1-E3 • PDF參數(shù)
| 類(lèi)別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
二極管（隔離式）
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
20V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
4.5A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
53 毫歐 @ 3.7A，4.5V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
1V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
11.5nC @ 8V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
400pF @ 10V
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| 功率 - 最大: |
6.5W
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| 安裝類(lèi)型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
PowerPAK? SC-70-6 雙
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PowerPAK? SC-70-6 雙
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| 包裝: |
剪切帶 (CT)
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