分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 1N6484HE3/97品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
1N6484HE3/97 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| 1N6484HE3/97 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 1A 1000V DO-213AB |
0 |
10,000:$0.11500
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| 1N6483HE3/97 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 1A 800V DO-213AB |
0 |
10,000:$0.11500
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| 1N6482HE3/97 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 1A 600V DO-213AB |
0 |
10,000:$0.11500
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| 1N6481HE3/97 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 1A 400V DO-213AB |
0 |
10,000:$0.11500
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| 1N6480HE3/97 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 1A 200V DO-213AB |
0 |
10,000:$0.11500
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1N6484HE3/97 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| 二極管類型: |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 電壓 - (Vr)（最大）: |
1000V（1kV）
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| 電流 - 平均整流 (Io): |
1A
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| 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）: |
1.1V @ 1A
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| 速度: |
標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
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| 反向恢復(fù)時(shí)間(trr): |
-
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| 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電: |
10µA @ 1000V
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| 電容@ Vr, F: |
-
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
DO-213AB，MELF
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
DO-213AB
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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