分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 1N6483HE3/96品牌、價格、PDF參數(shù)
1N6483HE3/96 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| 1N6483HE3/96 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 1A 800V DO-213AB |
0 |
6,000:$0.12200
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| 1N6482HE3/96 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 1A 600V DO-213AB |
0 |
6,000:$0.12200
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| RGP02-14E-E3/54 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 0.5A 1400V 300NS DO-41 |
0 |
5,500:$0.10400
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| RMPG06JHE3/73 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE FAST 1A 600V 200NS MPG06 |
0 |
6,000:$0.10400
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| US1D/1 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE FAST 1A 200V SMA |
0 |
3,600:$0.11946
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1N6483HE3/96 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| 二極管類型: |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 電壓 - (Vr)（最大）: |
800V
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| 電流 - 平均整流 (Io): |
1A
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| 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）: |
1.1V @ 1A
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| 速度: |
標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
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| 反向恢復(fù)時間(trr): |
-
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| 電流 - 在 Vr 時反向漏電: |
10µA @ 800V
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| 電容@ Vr, F: |
-
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
DO-213AB，MELF
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
DO-213AB
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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