分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PDTA115TK,115品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

PDTA115TK,115 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
PDTA115TK,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-346 0
PDTA115TK,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-346 0
PDTA115EK,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-346 0
PDTA115EK,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-346 0
PDTA115EK,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-346 0
PDTA114TK,135 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-346 0
PDTA114TK,135 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-346 0
PDTA114TK,135 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-346 0
PDTA114TEF,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-490 0
PDTA114TEF,115 NXP Semiconductors TRANS PNP W/RES 50V SOT-490 0
PDTA115TK,115 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 50V
電阻器 - 基極 (R1)(歐): 100k
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐): -
在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE): 100 @ 1mA,5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大): 150mV @ 250µA,5mA
電流 - 集電極截止(最大): 1µA
頻率 - 轉(zhuǎn)換: -
功率 - 最大: 250mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SMT3
包裝: 剪切帶 (CT)