分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BCV 29 E6327品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
BCV 29 E6327 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| BCV 29 E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR DARL NPN AF SOT-89 |
0 |
5,000:$0.13949
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| BCV 28 E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR DARL PNP AF SOT-89 |
0 |
5,000:$0.13949
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| PZTA 42 E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN 300V SOT-223 |
0 |
5,000:$0.13906
|
| BCV 48 E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR DARL PNP AF SOT-89 |
0 |
5,000:$0.13842
|
| BCP 49 E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR DARL NPN AF SOT-223 |
0 |
5,000:$0.13326
|
| BFN 39 E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR RF PNP 300V SOT-223 |
0 |
5,000:$0.13237
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BCV 29 E6327 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| 晶體管類型: |
NPN - 達(dá)林頓
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| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）: |
500mA
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| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）: |
30V
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| Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）: |
1V @ 100µA，100mA
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| 電流 - 集電極截止（最大）: |
-
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| 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE): |
20000 @ 100mA，5V
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| 功率 - 最大: |
1W
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| 頻率 - 轉(zhuǎn)換: |
150MHz
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-243AA
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-SOT89-4
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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