NTMFS5832NLT1G參數(shù):
生產(chǎn)商:
onsemiconductor
rohs:
rds(on)測(cè)試電壓vgs:
10v
晶體管極性:
nchannel
連續(xù)漏電流id:
20a
功耗pd:
3.1w
晶體管案例風(fēng)格:
dfn
工作溫度范圍:
-55
導(dǎo)通電阻rds(上):
0.0042ohm
漏源電壓vds:
40v
svhc物質(zhì):
nosvhc(20-jun-2011)
引腳號(hào):
5
適用范圍:
半導(dǎo)體
分離式半導(dǎo)體
晶體管通用
mosfet功率
半導(dǎo)體
晶體管
晶體管通用
mosfetpower