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DMNH10H028SPSQ-13

配單專家企業(yè)名單
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  • DMNH10H028SPSQ-13
    DMNH10H028SPSQ-13

    DMNH10H028SPSQ-13

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • DIODES/美臺

  • PowerDI5060-8

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • DMNH10H028SPSQ-13
    DMNH10H028SPSQ-13

    DMNH10H028SPSQ-13

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人:林小姐/歐陽先生

    電話:0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址:深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 21

  • DIODES

  • PowerDI5060-8

  • 1602+

  • -
  • 進口原裝

  • DMNH10H028SPSQ-13
    DMNH10H028SPSQ-13

    DMNH10H028SPSQ-13

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • DMNH10H028SPSQ-13
    DMNH10H028SPSQ-13

    DMNH10H028SPSQ-13

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:雷小姐

    電話:0755-2391507123915070(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務(wù))

    地址:華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 86000

  • DIODES/美臺

  • PowerDI5060-8

  • 2020+

  • -
  • ★★★真實庫存,假一賠十,原廠授權(quán)★★★

  • DMNH10H028SPSQ-13
    DMNH10H028SPSQ-13

    DMNH10H028SPSQ-13

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Diodes

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • DMNH10H028SPSQ-13
    DMNH10H028SPSQ-13

    DMNH10H028SPSQ-13

  • 東莞鼎岑科技有限公司
    東莞鼎岑科技有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:18925581989

    地址:廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)林村大道445號北鉅業(yè)大夏319室

  • 3800

  • DIODES

  • 21+

  • -
  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
DMNH10H028SPSQ-13 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
DMNH10H028SPSQ-13 技術(shù)參數(shù)
  • DMN4040SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):18.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):945pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.71W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 12A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4034SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.4A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):453pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.56W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4030LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9.4A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):604pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.14W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 12A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4026SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 28A TO252 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):28A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):21.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1181pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.6W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4015LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):13.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2072pF @ 20V 功率 - 最大值:2.19W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMNH4011SPS-13 DMNH4011SPSQ-13 DMNH4015SSD-13 DMNH4015SSDQ-13 DMNH4026SSD-13 DMNH4026SSDQ-13 DMNH6008SCT DMNH6008SCTQ DMNH6008SPS-13 DMNH6008SPSQ-13 DMNH6012LK3-13 DMNH6012LK3Q-13 DMNH6012SPS-13 DMNH6012SPSQ-13 DMNH6021SK3-13 DMNH6021SK3Q-13 DMNH6021SPD-13 DMNH6021SPDQ-13
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