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DMN65D8LFB-7B

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • DMN65D8LFB-7B
    DMN65D8LFB-7B

    DMN65D8LFB-7B

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-83795896

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 68000

  • DIODES

  • N/A最新

  • 21+原廠授權(quán)

  • -
  • ★原廠授權(quán)★價(jià)超代理★

  • DMN65D8LFB-7B
    DMN65D8LFB-7B

    DMN65D8LFB-7B

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:雷小姐

    電話:0755-2391507123915070(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務(wù))

    地址:華強(qiáng)街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 86000

  • DIODES/美臺

  • X1-DFN1006-3

  • 2020+

  • -
  • ★★★真實(shí)庫存,假一賠十,原廠授權(quán)★★★

  • DMN65D8LFB-7B
    DMN65D8LFB-7B

    DMN65D8LFB-7B

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • DMN65D8LFB-7B
    DMN65D8LFB-7B

    DMN65D8LFB-7B

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Diodes

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • DMN65D8LFB-7B
    DMN65D8LFB-7B

    DMN65D8LFB-7B

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 5888

  • Diodes Incorporated

  • NA

  • 19+

  • -
  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • DMN65D8LFB-7B
    DMN65D8LFB-7B

    DMN65D8LFB-7B

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人:林先生

    電話:135-3814-2003

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • DIODES/美臺

  • X1-DFN1006-3

  • 21+

  • -
  • 原裝正品,假一賠十!

  • DMN65D8LFB-7B
    DMN65D8LFB-7B

    DMN65D8LFB-7B

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 400000

  • DIODES IN

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • DMN65D8LFB-7B
    DMN65D8LFB-7B

    DMN65D8LFB-7B

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:廖R

    電話:13163738578

    地址:龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 4458

  • DIODES INCORPORATED

  • C08-場效應(yīng)管

  • -
  • DMN65D8LFB-7B
    DMN65D8LFB-7B

    DMN65D8LFB-7B

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 10000

  • DIODES INC.

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共19條 
  • 1
DMN65D8LFB-7B PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET MOSFET BVDSS
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
DMN65D8LFB-7B 技術(shù)參數(shù)
  • DMN4040SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):18.6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):945pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.71W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 12A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4034SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5.4A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):453pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.56W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4030LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9.4A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):12.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):604pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.14W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 12A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4026SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 28A TO252 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):28A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):21.3nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1181pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.6W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4015LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):13.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2072pF @ 20V 功率 - 最大值:2.19W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN67D8L-7 DMN67D8LDW-13 DMN67D8LDW-7 DMN67D8LW-13 DMN67D8LW-7 DMN7022LFG-13 DMN7022LFG-7 DMN7022LFGQ-13 DMN7022LFGQ-7 DMN80H2D0SCTI DMN90H2D2HCTI DMN90H8D5HCT DMN90H8D5HCTI DMN95H2D2HCTI DMN95H8D5HCT DMN95H8D5HCTI DMNF1-285-C DMNF1-285FIB-3K
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