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DMN3032LFDB-7

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • DMN3032LFDB-7
    DMN3032LFDB-7

    DMN3032LFDB-7

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：雷小姐

    電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）

    地址：華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 86000

  • DIODES/美臺

  • NA

  • 2020+

  • -

  • ★★★真實庫存，假一賠十，原廠授權(quán)★★★

  • DMN3032LFDB-7
    DMN3032LFDB-7

    DMN3032LFDB-7

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • DIODES/美臺

  • UDFN20206

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • DMN3032LFDB-7
    DMN3032LFDB-7

    DMN3032LFDB-7

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯(lián)系人：雷小姐

    電話：0755-82788062

    地址：華強北都會軒4507

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • DIODES/美臺

  • U-DFN2020-6

  • 24+

  • -

  • 原裝正品，可含稅供應。品質(zhì)保障

  • DMN3032LFDB-7
    DMN3032LFDB-7

    DMN3032LFDB-7

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人：林先生

    電話：135-3814-2003

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • DIODES/美臺

  • U-DFN2020-B-6

  • 21+

  • -

  • 原裝正品，假一賠十！

  • DMN3032LFDB-7
    DMN3032LFDB-7

    DMN3032LFDB-7

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人：馮

    電話：17841084408

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20

  • 0

  • DIODES/美臺

  • U-DFN2020-6

  • 原裝正品

  • -

  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應商

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
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DMN3032LFDB-7 技術(shù)參數(shù)
  • DMN3024LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:608pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 DMN3005LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:46.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4342pF @ 15V 功率 - 最大值:1.68W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252-3 標準包裝:1 DMN2300UFD-7 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.21A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:67.62pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:470mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 900mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:X1-DFN1212-3 封裝/外殼:3-UDFN 標準包裝:1 DMMT5551-7 功能描述:TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:2 NPN（雙）配對 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-26 標準包裝:3,000 DMM-B-44/100 功能描述:FUSE CARTRIDGE 440MA 1KVAC/VDC 制造商:eaton 系列:DMM-B 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 保險絲類型:盒 額定電流:440mA 額定電壓 - AC:1000V（1kV） 額定電壓 - DC:1000V（1kV） 響應時間:快速 應用:萬用表 特性:- 類別:- 認可:UL 工作溫度:- 不同額定電壓時的熔斷能力:10kA 安裝類型:支座 封裝/外殼:盒，非標準 大小/尺寸:0.394" 直徑 x 1.374" 長（10.00mm x 34.90mm） 融斷 I2t:- DC 冷態(tài)電阻:- 標準包裝:1 DMN3035LWN-7 DMN3042L-13 DMN3042L-7 DMN3042LFDF-13 DMN3042LFDF-7 DMN3050S-7 DMN3051L-7 DMN3051LDM-7 DMN3052L-7 DMN3052LSS-13 DMN3053L-13 DMN3053L-7 DMN3055LFDB-13 DMN3055LFDB-7 DMN3065LW-13 DMN3065LW-7 DMN3067LW-13 DMN3067LW-7
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