DME10S15K-F

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封裝
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價格
說明
操作

DME10S15K-F
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
Cornell Dubilier Electron
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝

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功能描述
薄膜電容器 DME 1KV .015uF
RoHS
否
制造商
Cornell Dubilier
產(chǎn)品類型
電介質(zhì)
Polyester
電容
0.047 uF
容差
10 %
電壓額定值
100 V
系列
225P
工作溫度范圍
- 55 C to + 85 C
端接類型
Radial
引線間隔
9.5 mm

DME10S15K-F 技術(shù)參數(shù)

DME10P22K-F 功能描述:0.22μF Film Capacitor 250V 1000V (1kV) Polyester, Metallized Radial 1.024" L x 0.472" W (26.00mm x 12.00mm) 制造商:cornell dubilier electronics (cde) 系列:DME 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電容:0.22μF 容差:±10% 額定電壓 - AC:250V 額定電壓 - DC:1000V（1kV）介電材料:聚酯，金屬化 ESR（等效串聯(lián)電阻）:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向大小/尺寸:1.024" 長 x 0.472" 寬（26.00mm x 12.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.906"（23.00mm）端接:PC 引腳引線間距:0.886"（22.50mm）應用:通用特性:- 標準包裝:200 DME10P1K-F 功能描述:0.1μF Film Capacitor 250V 1000V (1kV) Polyester, Metallized Radial 0.827" L x 0.394" W (21.00mm x 10.00mm) 制造商:cornell dubilier electronics (cde) 系列:DME 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電容:0.1μF 容差:±10% 額定電壓 - AC:250V 額定電壓 - DC:1000V（1kV）介電材料:聚酯，金屬化 ESR（等效串聯(lián)電阻）:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向大小/尺寸:0.827" 長 x 0.394" 寬（21.00mm x 10.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.846"（21.50mm）端接:PC 引腳引線間距:0.689"（17.50mm）應用:通用特性:- 標準包裝:200 DMC-40202NY-LY-AZE-BDN 功能描述:Character LCD Display Module Transmissive 5 x 8 Dots STN - Super-Twisted Nematic LED - Yellow/Green Parallel 182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 制造商:kyocera international, inc. 系列:- 零件狀態(tài):過期字符數(shù):80 顯示格式:40 x 2 字符格式:5 x 8 點顯示類型:STN - 超扭轉(zhuǎn)向列顯示模式:可傳導的字符大小:- 外形尺寸 L x W x H:182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 可視范圍:152.50mm 長 x 16.50mm 寬背光:LED - 黃/綠電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 點尺寸:- 接口:并聯(lián) 工作溫度:0°C ~ 50°C 文字顏色:黃背景顏色:綠標準包裝:140 DMC4015SSD-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.6A，6.2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1810pF @ 20V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 DMC3021LSDQ-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.5A，7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:767pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 DME10S82K-F DME1737-NW DME1P56K-F DME1P68K-F DME1P82K-F DME1W10K-F DME1W1K-F DME1W1P2K DME1W1P2K-F DME1W1P5K-F DME1W1P8K-F DME1W2P2K-F DME1W2P7K DME1W2P7K-F DME1W3P3K-F DME1W3P9K-F DME1W4P7K-F DME1W5P6K