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DIA-2

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  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售部經(jīng)理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 256

  • Cooper Bussmann

  • 標準封裝

  • 23+

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  • 真實的資源竭誠服務您!

  • DIA-2
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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • BUSSMANN

  • 1521+

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  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • DIA-250-RD-PK
    DIA-250-RD-PK

    DIA-250-RD-PK

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 1

  • BRADY CORP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進口

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  • 代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

  • DIA-250-RD
    DIA-250-RD

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  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 1

  • BRADY CORPORATION

  • 主營優(yōu)勢

  • 1836

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  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

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DIA-2 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 電路保護套件 ATM DIAGNOSTIC KIT
  • RoHS
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  • Sola/Hevi-Duty
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  • Terminal Cover
DIA-2 技術(shù)參數(shù)
  • DI9956T 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.7A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 2.2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):320pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:2,500 DI9435T 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 5.3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):950pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSOP(0.130",3.30mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:2,500 DI9430T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 5.3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1430pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,鷗翼型 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:2,500 DI2220V301R-10 功能描述:300nH Unshielded Wirewound Inductor 8A 10 mOhm Max 2220 (5650 Metric) 制造商:laird-signal integrity products 系列:DI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:300nH 容差:±10% 額定電流:8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):10 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2220(5650 公制) 大小/尺寸:0.220" 長 x 0.200" 寬(5.59mm x 5.08mm) 高度 - 安裝(最大值):0.152"(3.86mm) 標準包裝:1 DI2220V301R-00 功能描述:300nH Unshielded Wirewound Inductor 8A 10 mOhm Max Nonstandard 制造商:laird-signal integrity products 系列:DI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:300nH 容差:±10% 額定電流:8A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):10 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.220" 長 x 0.200" 寬(5.59mm x 5.08mm) 高度 - 安裝(最大值):0.142"(3.60mm) 標準包裝:1 DIAMOND-E-12M DIAMOND-E-12M-PROMO DIAMOND-I-12M DIART110A DIART220A DIART24A DIART24D DIB01CB235A DIB01CD485A DIB01CM24100A DIBBC2314S21W DID-29AMMM-SL7A01 DID-29AMMM-SL7A02 DID-29AMMM-SL7A05 DID-29PFFP-SL8001 DID-29PFFS-SL8001 DIEBCC7018B DIFBA2002S00S
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