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DD1274AS-H-6R8N=P3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • DD1274AS-H-6R8N=P3
    DD1274AS-H-6R8N=P3

    DD1274AS-H-6R8N=P3

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Murata Electronics North

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • DD1274AS-H-6R8N=P3
    DD1274AS-H-6R8N=P3

    DD1274AS-H-6R8N=P3

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • MURATA/村田

  • SMD

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
DD1274AS-H-6R8N=P3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 6.8μH Shielded Wirewound Inductor 5.4A 21.3 mOhm Max Nonstandard
  • 制造商
  • murata electronics north america
  • 系列
  • DEM10050C
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵氧體
  • 電感
  • 6.8μH
  • 容差
  • ±30%
  • 額定電流
  • 5.4A
  • 電流 - 飽和值
  • 10A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻（DCR）
  • 21.3 毫歐最大
  • 不同頻率時的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級
  • AEC-Q200
  • 工作溫度
  • -
  • 頻率 - 測試
  • 100kHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 非標(biāo)準(zhǔn)
  • 大小/尺寸
  • 0.394" 長 x 0.394" 寬（10.00mm x 10.00mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）
  • 0.197"（5.00mm）
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
DD1274AS-H-6R8N=P3 技術(shù)參數(shù)
  • DD1274AS-H-5R6N=P3 功能描述:5.6μH Shielded Wirewound Inductor 6.3A 18.3 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DEM10050C 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:5.6μH 容差:±30% 額定電流:6.3A 電流 - 飽和值:11.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:18.3 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.394" 長 x 0.394" 寬（10.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.197"（5.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DD1274AS-H-4R7N=P3 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 6.7A 13.5 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DEM10050C 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:6.7A 電流 - 飽和值:12.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:13.5 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.394" 長 x 0.394" 寬（10.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.197"（5.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DD1274AS-H-3R3N=P3 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 7.4A 11.4 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DEM10050C 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±30% 額定電流:7.4A 電流 - 飽和值:14.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:11.4 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.394" 長 x 0.394" 寬（10.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.197"（5.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DD1274AS-H-330M=P3 功能描述:33μH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 93.6 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DEM10050C 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:33μH 容差:±20% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:4.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:93.6 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.394" 長 x 0.394" 寬（10.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.197"（5.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DD1274AS-H-2R2N=P3 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 8A 9.6 mOhm Max Nonstandard 制造商:murata electronics north america 系列:DEM10050C 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±30% 額定電流:8A 電流 - 飽和值:16.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:9.6 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:- 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.394" 長 x 0.394" 寬（10.00mm x 10.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.197"（5.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DD-12RFFC-RC7B10 DD-12RFFC-RC7B30 DD-12RFFC-RS7B10 DD-12RFMC-RC7B10 DD-12RFMC-RS7B10 DD-12RMFS-QC8001 DD-13964 DD-14AFFM-QL8D01 DD-14AFFM-QR8D01 DD-14AFFM-RL7A01 DD-14AFMM-QL8D01 DD-14AFMM-QR8D01 DD-14AFMM-RL7A01 DD-14AMFM-QL8D01 DD-14AMFM-RL7A01 DD-14AMMM-QL8D01 DD-14AMMM-RL7A01 DD-14PMFS-QC8001
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