參數(shù)資料
型號(hào): CYK256K16SCCBU-70BVI
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM
中文描述: 256K X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA48
封裝: 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
文件頁(yè)數(shù): 6/10頁(yè)
文件大小: 307K
代理商: CYK256K16SCCBU-70BVI
CYK256K16SCCB
Document #: 38-05526 Rev. *H
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Write Cycle No. 1(WE Controlled)
[12, 13, 17, 18, 19]
Notes:
17.Data I/O is high impedance if OE > V
.
18.If Chip Enable goes INACTIVE simultaneously with WE =HIGH, the output remains in a high-impedance state.
19.During the DON’T CARE period in the DATA I/O waveform, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.
Switching Waveforms
(continued)
tHD
tSD
tPWE
tSA
tHA
tAW
tSCE
tWC
tHZOE
VALID DATA
CE
1
ADDRESS
CE2
2
WE
DATAI/O
OE
BHE
/
BLE
tBW
DON’T CARE
[+] Feedback
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PDF描述
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CYK512K16SCAU-55BAXI 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM
CYK512K16SCAU-70BAXI 功能描述:IC PSRAM 8MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CYK512K16SCAU-70BAXIT 功能描述:IC PSRAM 8MBIT 70NS 48TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CYK512K16SCCA 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM
CYK512K16SCCAU 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Memory