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參數(shù)資料
| 型號： | CYD09S72V-133BBI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM |
| 中文描述： | 128K X 72 DUAL-PORT SRAM, 4.4 ns, PBGA484 |
| 封裝： | 23 X 23 MM, 1.60 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, MO-192, FBGA-484 |
| 文件頁數(shù)： | 23/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 470K |
| 代理商： | CYD09S72V-133BBI |
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PRELIMINARY
CYD04S72V
CYD09S72V
CYD18S72V
Document #: 38-06069 Rev. *D
Page 23 of 26
Mailbox Interrupt Timing
[52,53,54,55,56]
Table 7. Read / Write and Enable Operation (Any Port)
[1,14,57,58,59]
Inputs
CE
0
H
Outputs
DQ
0
–
DQ
71
High-Z
Operation
Deselected
OE
X
CLK
CE
1
X
R/W
X
X
X
L
X
High-Z
Deselected
X
L
H
L
D
IN
Write
L
L
H
H
D
OUT
Read
H
X
L
H
X
High-Z
Outputs Disabled
Notes:
52. CE
= OE = ADS = CNTEN = LOW; CE
= CNTRST = MRST = CNT/MSK = HIGH.
53. Address “1FFFF” is the mailbox location for R_Port.
54. L_Port is configured for Write operation, and R_Port is configured for Read operation.
55. At least one byte enable (B0 – B3) is required to be active during interrupt operations.
56. Interrupt flag is set with respect to the rising edge of the Write clock, and is reset with respect to the rising edge of the Read clock.
57. OE is an asynchronous input signal.
58. When CE changes state, deselection and Read happen after one cycle of latency.
59. CE
0
= OE = LOW; CE
1
= R/W = HIGH.
t
CH2
t
CL2
t
CYC2
CLK
L
t
CH2
t
CL2
t
CYC2
CLK
R
3FFFF
t
SA
t
HA
A
n+3
A
n
A
n+1
A
n+2
L_PORT
ADDRESS
A
m
A
m+4
A
m+1
3FFFF
A
m+3
R_PORT
ADDRESS
INT
R
t
SA
t
HA
t
SINT
t
RINT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CYD09S72V-167BBC | FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM |
| CYD18S72V-100BBC | FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM |
| CYD18S72V-100BBI | FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM |
| CYD18S72V-133BBC | FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM |
| CYD18S36V | FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36 Synchronous Dual-Port RAM(FLEx36TM 3.3V 32K/64K/128K/256K/512 x 36同步雙端口RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CYD09S72V-167BBC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 128K x 72 3.3V COM Sync Dual Port RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CYD09S72V18-167BBXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 9216K (128Kx72) 1.8v 167MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CYD09S72V18-167BBXI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 167MHZ 256LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CYD09S72V18-167BGXC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CYD09S72V18-167BGXI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
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