參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1910BV18-200BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 2M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 14/23頁(yè)
文件大?。?/td> 262K
代理商： CY7C1910BV18-200BZC
PRELIMINARY
CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
Document #: 38-05619 Rev. **
Page 14 of 23
Switching Waveforms
[21, 22, 23]
Read/Write/Deselect Sequence
READ
Notes:
21.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e., A0 + 1.
22.Output are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
23.In this example, if address A2 = A1,then data Q20 = D10 and Q21 = D11. Write data is forwarded immediately as read results. This note applies to the whole
diagram.
K
1
2
3
4
5
8
10
6
7
K
RPS
WPS
A
Q
D
C
C
A0
READ
WRITE
WRITE
WRITE
tKH
tKHKH
tKHCH
tCO
tKL
tCYC
t
tHC
tSA
tHA
tSD
tHD
tKHCH
NOP
DON’T CARE
UNDEFINED
tCLZ
tCHZ
SC
tKH
tKL
tSA
tHA
D30
D50
D51
D61
tSD
tHD
READ
WRITE
NOP
Q00
Q01
Q20
tCO
tDOH
tKHKH
tCYC
9
A6
A5
A3
A4
A1
A2
Q21
Q40
Q41
D31
D11
D10
D60
tCQD
tDOH
CQ
CQ
tCCQO
tCQOH
tCCQO
tCQOH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1310BV18-250BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1910BV18-250BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1312BV18-167BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1312BV18-200BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1312BV18-250BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1911JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18M QDRII 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 B4 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1911KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 1.8V 2Mb x 9 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1911KV18-250BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 1.8V 2Mb x 9 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1911KV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18Mb 1.8V 2Mb x 9 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1911KV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18432KB 1ms 500mA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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