參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1474V25-200BGXC
廠(chǎng)商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
中文描述： 1M X 72 ZBT SRAM, 3 ns, PBGA209
封裝： 14 X 22 MM, 1.76 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-209
文件頁(yè)數(shù)： 10/28頁(yè)
文件大?。?/td> 378K
代理商： CY7C1474V25-200BGXC
PRELIMINARY
CY7C1470V33
CY7C1472V33
CY7C1474V33
Document #: 38-05289 Rev. *E
Page 10 of 28
Partial Write Cycle Description
[1, 2, 3, 8]
Function (CY7C1470V33)
WE
H
L
BW
d
X
H
BW
c
X
H
BW
b
X
H
BW
a
X
H
Read
Write – No bytes written
Write Byte a – (DQ
a
and
DQP
a
)
Write Byte b – (DQ
b
and
DQP
b
)
Write Bytes b, a
Write Byte c – (DQ
c
and
DQP
c
)
Write Bytes c, a
Write Bytes c, b
Write Bytes c, b, a
Write Byte d – (DQ
d
and
DQP
d
)
Write Bytes d, a
Write Bytes d, b
Write Bytes d, b, a
Write Bytes d, c
Write Bytes d, c, a
Write Bytes d, c, b
Write All Bytes
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
L
L
LL
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
Function (CY7C1472V33)
WE
H
L
L
L
L
BW
b
x
H
H
L
L
BW
a
x
H
L
H
L
Read
Write – No Bytes Written
Write Byte a – (DQ
a
and
DQP
a
)
Write Byte b – (DQ
b
and
DQP
b
)
Write Both Bytes
Function (CY7C1474V33)
WE
H
L
L
L
BW
x
x
H
L
Read
Write – No Bytes Written
Write Byte X
(DQ
x
and
DQP
x)
Write All Bytes
All BW = L
Note:
8. Table only lists a partial listing of the Byte Write combinations. Any combination of BW
[a:d]
is valid. Appropriate Write will be done based on which Byte Write is
active.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1474V25-250BGC 72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1474V25-250BGXC 72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1472V25-167AXC 72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1472V33-167AXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1472V25 72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1474V25-200BGXCT 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V 72MBIT 1MX72 3NS 209FBGA - Tape and Reel
CY7C1474V25-200BGXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (1Mx72) 2.5v 200MHz 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1474V33-167BGC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (1Mx72) 3.3v 167MHz 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1474V33-167BGCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:1MX72, 3.3V NOBL PL SRAM - Bulk
CY7C1474V33-167BGCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx72 3.3V NoBL PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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