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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1473V33 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| 中文描述： | 72兆位（2米x 36/4M x 18/1M × 72）流體系結構，通過與總線延遲靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 26/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 373K |
| 代理商： | CY7C1473V33 |
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PRELIMINARY
CY7C1471V25
CY7C1473V25
CY7C1475V25
Document #: 38-05287 Rev. *E
Page 26 of 30
ZZ Mode Timing
[26, 27]
Switching Waveforms
(continued)
tZZ
I
SUPPLY
CLK
ZZ
tZZREC
ALL INPUTS
(except ZZ)
DON’T CARE
IDDZZ
tZZI
tRZZI
Outputs (Q)
High-Z
DESELECT or READ Only
Ordering Information
Speed
(MHz)
133
Ordering Code
CY7C1471V25-133AXC
CY7C1473V25-133AXC
CY7C1471V25-133BZC
CY7C1473V25-133BZC
CY7C1475V25-133BGC
CY7C1471V25-133BZXC
CY7C1473V25-133BZXC
CY7C1475V25-133BGXC
CY7C1471V25-100AXC
CY7C1473V25-100AXC
CY7C1471V25-100BZC
CY7C1473V25-100BZC
CY7C1475V25-100BGC
CY7C1471V25-100BZXC
CY7C1473V25-100BZXC
CY7C1475V25-100BGXC
Package
Name
A101
Part and Package Type
Operating
Range
Commercial
100-lead Thin Quad Flat Pack (14 x 20 x 1.4mm)
BB165C
165-ball Fine-Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4mm)
BB209A
BB165C
209-ball Ball Grid Array (14 × 22 × 1.76 mm)
165-ball Fine-Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4mm)
BB209A
A101
209-ball Ball Grid Array (14 × 22 × 1.76 mm)
100-lead Thin Quad Flat Pack (14 x 20 x 1.4mm)
100
BB165C
165-ball Fine-Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4mm)
BB209A
BB165C
209-ball Ball Grid Array (14 × 22 × 1.76 mm)
165-ball Fine-Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4mm)
BB209A
209-ball Ball Grid Array (14 × 22 × 1.76 mm)
Please contact your local Cypress sales representative for availability of these parts.
Lead-free BG packages (Ordering Code: BGX) will be available in 2005.
Notes:
26.Device must be deselected when entering ZZ mode. See truth table for all possible signal conditions to deselect the device.
27.DQs are in high-Z when exiting ZZ sleep mode.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1471V25-100AXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1471V25-133BZXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1473V25-133BZC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1473V25-133BZXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| CY7C1471V25-100BZC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1474BV25-167BGC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx72, 2.5V NoBL PL RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1474BV25-167BGCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx72, 2.5V NoBL PL RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1474BV25-167BGI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx72, 2.5V NoBL PL RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1474BV25-167BGIT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx72 2.5V NoBL PL 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1474BV25-200BGC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx72, 2.5V NoBL PL RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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