參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1314BV18-250BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 512K X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 20/23頁(yè)
文件大?。?/td> 262K
代理商： CY7C1314BV18-250BZC
PRELIMINARY
CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
Document #: 38-05619 Rev. **
Page 20 of 23
Identification Register Definitions
Instruction Field
Revision Number
(31:29)
Cypress Device ID
(28:12)
Cypress JEDEC ID
(11:1)
Value
Description
Version number.
CY7C1310BV18
000
CY7C1910BV18
000
CY7C1312BV18
000
CY7C1314BV18
000
1101001101000010
1
00000110100
1101001101001101
1101001101001010
1
00000110100
1101001101010010
1
00000110100
Defines the type of
SRAM.
Unique identifi-
cation of SRAM
vendor.
Indicates the
presence of an ID
register.
00000110100
ID Register Presence
(0)
1
1
1
1
Scan Register Sizes
Register Name
Instruction
Bypass
ID
Boundary Scan Cells
Bit Size
3
1
32
107
Instruction Codes
Instruction
Code
Description
EXTEST
IDCODE
000
001
Captures the Input/Output ring contents.
Loads the ID register with the vendor ID code and places the register between
TDI and TDO. This operation does not affect SRAM operation.
Captures the Input/Output contents. Places the boundary scan register
between TDI and TDO. Forces all SRAM output drivers to a High-Z state.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Captures the Input/Output ring contents. Places the boundary scan register
between TDI and TDO. Does not affect the SRAM operation.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Places the bypass register between TDI and TDO. This operation does not
affect SRAM operation.
SAMPLE Z
010
RESERVED
SAMPLE/PRELOAD
011
100
RESERVED
RESERVED
BYPASS
101
110
111
Boundary Scan Order
Bit #
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
Bump ID
6R
6P
6N
7P
7N
7R
8R
8P
9R
11P
10P
10N
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
9P
10M
11N
9M
9N
11L
11M
9L
10L
11K
10K
9J
Boundary Scan Order
(continued)
Bit #
Bump ID
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1910BV18 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1310BV18-167BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1910BV18-167BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1310BV18-200BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1910BV18-200BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CY7C1314CV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1314CV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1314CV18-200BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18-Mbit QDR-II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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