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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1314BV18-250BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 512K X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 262K |
| 代理商： | CY7C1314BV18-250BZC |
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PRELIMINARY
CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
Document #: 38-05619 Rev. **
Page 13 of 23
Thermal Resistance
[20]
Note:
20.Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
165 FBGA Package
TBD
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test conditions follow standard test
methods and procedures for
measuring thermal impedance, per
EIA/JESD51.
Θ
JC
TBD
°
C/W
Capacitance
[20]
Parameter
C
IN
C
CLK
C
O
Description
Test Conditions
Max.
TBD
TBD
TBD
Unit
pF
pF
pF
Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Output Capacitance
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 1.8V
V
DDQ
= 1.5V
AC Test Loads and Waveforms
1.25V
0.25V
R = 50
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
ALL INPUT PULSES
Device
Under
Test
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
REF
= 0.75V
V
REF
= 0.75V
[12]
0.75V
0.75V
Device
Under
Test
OUTPUT
0.75V
V
REF
V
REF
OUTPUT
ZQ
ZQ
(a)
RQ =
250
(b)
RQ =
250
Slew Rate = 2V / ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1910BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1310BV18-167BZC | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1910BV18-167BZC | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1310BV18-200BZC | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1910BV18-200BZC | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1314BV18-250BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 512KX36 0.45NS 165FBGA - Bulk |
| CY7C1314BV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1314CV18-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1314CV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1314CV18-200BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18-Mbit QDR-II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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