參數(shù)資料
型號: CY7C1314BV18-167BZC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述: 512K X 36 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù): 23/23頁
文件大?。?/td> 262K
代理商: CY7C1314BV18-167BZC
PRELIMINARY
CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
Document #: 38-05619 Rev. **
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Document Title: CY7C1310BV18/CY7C1910BV18/CY7C1312BV18/CY7C1314BV18 18-Mbit QDR- II SRAM 2-Word
Burst Architecture
Document Number: 38-05619
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252474
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PDF描述
CY7C1314BV18-200BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1314BV18-250BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1910BV18 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1310BV18-167BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1910BV18-167BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
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參數(shù)描述
CY7C1314BV18-167BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1314BV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1314BV18-200BZXC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1314BV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1314BV18-250BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 512KX36 0.45NS 165FBGA - Bulk