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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1314BV18-167BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 512K X 36 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 21/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 262K |
| 代理商： | CY7C1314BV18-167BZC |
PRELIMINARY
CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
Document #: 38-05619 Rev. **
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Internal
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Boundary Scan Order
(continued)
Bit #
Bump ID
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Boundary Scan Order
(continued)
Bit #
Bump ID
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1314BV18-200BZC | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1314BV18-250BZC | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1910BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1310BV18-167BZC | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1910BV18-167BZC | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1314BV18-167BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1314BV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1314BV18-200BZXC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1314BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512Kx36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1314BV18-250BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 512KX36 0.45NS 165FBGA - Bulk |
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