參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1314BV18-167BZC
廠(chǎng)商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): DRAM
英文描述: 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述: 512K X 36 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù): 2/23頁(yè)
文件大?。?/td> 262K
代理商: CY7C1314BV18-167BZC
PRELIMINARY
CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
Document #: 38-05619 Rev. **
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Logic Block Diagram (CY7C1310BV18)
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[7:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
NWS
[1:0]
Q
[7:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
8
20
8
16
8
V
REF
W
8
A
(19:0)
20
C
C
8
1
1
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
8
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1910BV18)
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[8:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[0]
Q
[8:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
9
20
9
18
9
V
REF
W
9
A
(19:0)
20
C
C
9
1
1
Write
Reg
Write
Reg
CQ
CQ
9
DOFF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1314BV18-200BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1314BV18-250BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1910BV18 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1310BV18-167BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1910BV18-167BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1314BV18-167BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1314BV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1314BV18-200BZXC 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1314BV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1314BV18-250BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 512KX36 0.45NS 165FBGA - Bulk