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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1314BV18-167BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 512K X 36 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 262K |
| 代理商： | CY7C1314BV18-167BZC |
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PRELIMINARY
CY7C1310BV18
CY7C1910BV18
CY7C1312BV18
CY7C1314BV18
Document #: 38-05619 Rev. **
Page 19 of 23
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range
[26, 27]
TAP Timing and Test Conditions
[27]
Parameter
t
TCYC
t
TF
t
TH
t
TL
Set-up Times
t
TMSS
t
TDIS
t
CS
Hold Times
t
TMSH
t
TDIH
t
CH
Output Times
t
TDOV
t
TDOX
Description
Min.
50
Max.
Unit
ns
MHz
ns
ns
TCK Clock Cycle Time
TCK Clock Frequency
TCK Clock HIGH
TCK Clock LOW
20
40
40
TMS Set-up to TCK Clock Rise
TDI Set-up to TCK Clock Rise
Capture Set-up to TCK Rise
10
10
10
ns
ns
ns
TMS Hold after TCK Clock Rise
TDI Hold after Clock Rise
Capture Hold after Clock Rise
10
10
10
ns
ns
ns
TCK Clock LOW to TDO Valid
TCK Clock LOW to TDO Invalid
20
ns
ns
0
Notes:
26.t
and t
refer to the set-up and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
27.Test conditions are specified using the load in TAP AC test conditions. t
R
/t
F
= 1 ns.
(a)
TDO
C
L
= 20 pF
Z
0
= 50
GND
0.9V
50
1.8V
0V
ALL INPUT PULSES
0.9V
Test Clock
TCK
Test Mode Select
TMS
Test Data-In
TDI
Test Data-Out
TDO
t
TCYC
t
TMSH
t
TL
t
TH
t
TMSS
t
TDIS
t
TDIH
t
TDOV
t
TDOX
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1314BV18-200BZC | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1314BV18-250BZC | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1910BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1310BV18-167BZC | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1910BV18-167BZC | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1314BV18-167BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1314BV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1314BV18-200BZXC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1314BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1314BV18-250BZCES | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 512KX36 0.45NS 165FBGA - Bulk |
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