參數(shù)資料
型號： CY7C1307BV25-167BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture
中文描述： 512K X 36 QDR SRAM, 2.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 2/21頁
文件大?。?/td> 247K
代理商： CY7C1307BV25-167BZC
PRELIMINARY
CY7C1305BV25
CY7C1307BV25
Document #: 38-05630 Rev. **
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Selection Guide
CY7C1305BV25-167
CY7C1307BV25-167
167
TBD
CY7C1305BV25-133
CY7C1307BV25-133
133
TBD
CY7C1305BV25-100
CY7C1307BV25-100
100
TBD
Unit
MHz
mA
Maximum Operating Frequency
Maximum Operating Current
Logic Block Diagram (CY7C1305BV25)
D
[17:0]
2
CLK
Gen.
A
[17:0]
K
K
Control
Logic
Address
Register
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[0:1]
Q
[17:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
36
18
18
72
18
Vref
W
Write
Reg
36
A
(17:0)
18
C
C
2
2
2
Write
Reg
Write
Reg
Write
Reg
18
Logic Block Diagram (CY7C1307BV25)
1
CLK
Gen.
A
(16:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[35:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[0:3]
Q
[35:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
72
17
36
144
36
Vref
W
Write
Reg
72
A
(16:0)
17
C
C
1
1
1
Write
Reg
Write
Reg
Write
Reg
36
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1305BV25-133BZC 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture
CY7C1305BV25-167BZC 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture
CY7C1306BV25 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結(jié)構(gòu)，流水線SRAM)
CY7C1303BV25 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結(jié)構(gòu)，流水線SRAM)
CY7C1310BV18 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CY7C1308DV25-250BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk
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