參數(shù)資料
型號： CY7C1307BV25-167BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture
中文描述： 512K X 36 QDR SRAM, 2.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 17/21頁
文件大?。?/td> 247K
代理商： CY7C1307BV25-167BZC
PRELIMINARY
CY7C1305BV25
CY7C1307BV25
Document #: 38-05630 Rev. **
Page 17 of 21
Output Times
t
TDOV
t
TDOX
TCK Clock LOW to TDO Valid
TCK Clock LOW to TDO Invalid
20
ns
ns
0
TAP Timing and Test Conditions
[29]
Identification Register Definitions
Instruction Field
Revision Number (31:29)
Cypress Device ID (28:12)
Cypress JEDEC ID (11:1)
ID Register Presence (0)
Value
Description
CY7C1305BV25
000
01011010011010101 01011010011100101 Defines the type of SRAM.
00000110100
00000110100
1
1
CY7C1307BV25
000
Version number.
Allows unique identification of SRAM vendor.
Indicate the presence of an ID register.
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range
(continued)
[28, 29]
Parameter
Description
Min.
Max.
Unit
(a)
TDO
C
L
= 20 pF
Z
0
=50
GND
1.25V
Test Clock
TCK
Test Mode Select
TMS
Test Data-In
TDI
Test Data-Out
TDO
t
TCYC
t
TMSH
t
TL
t
TH
t
TMSS
t
TDIS
t
TDIH
t
TDOX
t
TDOV
50
2.5V
0V
ALL INPUT PULSES
1.25V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1305BV25-133BZC 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture
CY7C1305BV25-167BZC 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture
CY7C1306BV25 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結(jié)構(gòu)，流水線SRAM)
CY7C1303BV25 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結(jié)構(gòu)，流水線SRAM)
CY7C1310BV18 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
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參數(shù)描述
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CY7C1308SV25C-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 CY7C1308SV25C-167BZC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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