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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1307BV25-167BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture |
| 中文描述： | 512K X 36 QDR SRAM, 2.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 12/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 247K |
| 代理商： | CY7C1307BV25-167BZC |
PRELIMINARY
CY7C1305BV25
CY7C1307BV25
Document #: 38-05630 Rev. **
Page 12 of 21
Switching Waveforms
[23, 24, 25]
Notes:
23.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e., A0+1.
24.Outputs are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
25.In this example, if address A2 = A1 then data Q20 = D10 and Q21 = D11. Write data is forwarded immediately as read results.This note applies to the whole diagram.
K
1
2
3
4
5
6
7
K
RPS
WPS
A
Q
D
C
C
A0
READ
READ
WRITE
WRITE
Q00
Q03
D10
D11
D12
D13
D30
D31
D32
D33
A1
t
KH
t
KHKH
t
KHCH
t
CO
t
DOH
t
KL
t
CYC
t
t
HC
t
SA
t
HA
t
SD
t
HD
tKHCH
Q01
Q02
Q23
Q22
Q20
Q21
NOP
NOP
Qx3
A2
t
SD
t
HD
DON’T CARE
UNDEFINED
t
CLZ
tCO
t
DOH
tCHZ
SC
t
t
HC
SC
tKH
tKHKH
tKL
tCYC
A3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1305BV25-133BZC | 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture |
| CY7C1305BV25-167BZC | 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture |
| CY7C1306BV25 | 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結(jié)構(gòu)，流水線SRAM) |
| CY7C1303BV25 | 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結(jié)構(gòu)，流水線SRAM) |
| CY7C1310BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1308BV25-167BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk |
| CY7C1308DV25-250BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk |
| CY7C1308DV25C-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1308DV25C-167BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1308SV25C-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 CY7C1308SV25C-167BZC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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