參數(shù)資料
型號: CY7C1307BV25-100BZC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture
中文描述: 512K X 36 QDR SRAM, 3 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁數(shù): 21/21頁
文件大?。?/td> 247K
代理商: CY7C1307BV25-100BZC
PRELIMINARY
CY7C1305BV25
CY7C1307BV25
Document #: 38-05630 Rev. **
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Document Title: CY7C1305BV25/CY7C1307BV25 18-Mbit Burst of Four Pipelined SRAM with QDR Architecture
Document Number: 38-05630
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253049
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1307BV25-133BZC 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture
CY7C1307BV25-167BZC 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture
CY7C1305BV25-133BZC 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture
CY7C1305BV25-167BZC 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture
CY7C1306BV25 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit,Burst of 2,QDR結(jié)構(gòu),流水線SRAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1308BV25-167BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk
CY7C1308DV25-250BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk
CY7C1308DV25C-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1308DV25C-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1308SV25C-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 CY7C1308SV25C-167BZC RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray