參數(shù)資料
型號： CY7C1306BV25
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結構，流水線SRAM)
中文描述： 18兆位的2四年防務審查架構（18Mbit，2突發(fā)流水線SRAM的突發(fā)，國防評估報告結構，流水線的SRAM）
文件頁數(shù)： 3/19頁
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代理商： CY7C1306BV25
CY7C1306BV25
CY7C1303BV25
Document #: 38-05627 Rev. *A
Page 3 of 19
Pin Configuration
165-ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
CY7C1303BV25 (1M x 18)
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CY7C1306BV25 (512K x 36)
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相關PDF資料
PDF描述
CY7C1303BV25 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結構，流水線SRAM)
CY7C1310BV18 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1314BV18 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1314BV18-167BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1314BV18-200BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1306CV25-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512x36 QDR Burst2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1308BV25-167BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk
CY7C1308DV25-250BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk
CY7C1308DV25C-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1308DV25C-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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