參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1306BV25
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結(jié)構(gòu)，流水線(xiàn)SRAM)
中文描述： 18兆位的2四年防務(wù)審查架構(gòu)（18Mbit，2突發(fā)流水線(xiàn)SRAM的突發(fā)，國(guó)防評(píng)估報(bào)告結(jié)構(gòu)，流水線(xiàn)的SRAM）
文件頁(yè)數(shù)： 17/19頁(yè)
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代理商： CY7C1306BV25
CY7C1306BV25
CY7C1303BV25
Document #: 38-05627 Rev. *A
Page 17 of 19
Switching Waveforms
[25, 26, 27]
Notes:
24.t
, t
, are specified with a load capacitance of 5 pF as in part (b) of AC Test Loads. Transition is measured ± 100 mV from steady-state voltage.
25.Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, i.e., A0+1.
26.Outputs are disabled (High-Z) one clock cycle after a NOP.
27.In this example, if address A2 = A1 then data Q2 0= D10 and Q21 = D11. Write data is forwarded immediately as read results.This note applies to the whole diagram.
READ
1
READ
3
WRITE
4
WRITE
6
WRITE
2
NOP
7
READ
5
WRITE
8
NOP
9
K
10
K
RPS
WPS
A
Q
D
C
C
A1
A0
D10
tKH
tKHKH
tKHCH
tCO
tKL
tCYC
tHC
t
SA
t
HA
t
HD
tKHCH
DON’T CARE
UNDEFINED
tCLZ
tCHZ
tSC
tKH
tKL
A2
A3
A4
A5
A6
t
HA
D11
D30
D31
D50
D51
D60
D61
t
SD
t
HD
Q00
Q21
Q01
Q20
Q40
Q41
tCO
tDOH
tDOH
tKHKH
tCYC
t
SA
t
SD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1303BV25 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結(jié)構(gòu)，流水線(xiàn)SRAM)
CY7C1310BV18 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1314BV18 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1314BV18-167BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1314BV18-200BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1306CV25-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512x36 QDR Burst2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1308BV25-167BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk
CY7C1308DV25-250BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk
CY7C1308DV25C-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1308DV25C-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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