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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1306BV25 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結(jié)構(gòu)，流水線SRAM) |
| 中文描述： | 18兆位的2四年防務(wù)審查架構(gòu)（18Mbit，2突發(fā)流水線SRAM的突發(fā)，國防評估報告結(jié)構(gòu)，流水線的SRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 13/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 821K |
| 代理商： | CY7C1306BV25 |
CY7C1306BV25
CY7C1303BV25
Document #: 38-05627 Rev. *A
Page 13 of 19
Scan Register Sizes
Register Name
Instruction
Bypass
ID
Boundary Scan
Bit Size
3
1
32
107
Instruction Codes
Instruction
Code
000
001
Description
EXTEST
IDCODE
Captures the Input/Output ring contents.
Loads the ID register with the vendor ID code and places the register
between TDI and TDO. This operation does not affect SRAM operation.
Captures the Input/Output contents. Places the boundary scan register
between TDI and TDO. Forces all SRAM output drivers to a High-Z state.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Captures the Input/Output ring contents. Places the boundary scan register
between TDI and TDO. Does not affect the SRAM operation.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Places the bypass register between TDI and TDO. This operation does not
affect SRAM operation.
SAMPLE Z
010
RESERVED
SAMPLE/PRELOAD
011
100
RESERVED
RESERVED
BYPASS
101
110
111
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1303BV25 | 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結(jié)構(gòu)，流水線SRAM) |
| CY7C1310BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1314BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1314BV18-167BZC | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1314BV18-200BZC | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1306CV25-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 512x36 QDR Burst2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1308BV25-167BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk |
| CY7C1308DV25-250BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk |
| CY7C1308DV25C-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1308DV25C-167BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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