型號(hào): | CY7C1306BV25 |
廠商: | Cypress Semiconductor Corp. |
英文描述: | 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit,Burst of 2,QDR結(jié)構(gòu),流水線SRAM) |
中文描述: | 18兆位的2四年防務(wù)審查架構(gòu)(18Mbit,2突發(fā)流水線SRAM的突發(fā),國(guó)防評(píng)估報(bào)告結(jié)構(gòu),流水線的SRAM) |
文件頁(yè)數(shù): | 10/19頁(yè) |
文件大小: | 821K |
代理商: | CY7C1306BV25 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CY7C1303BV25 | 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit,Burst of 2,QDR結(jié)構(gòu),流水線SRAM) |
CY7C1310BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
CY7C1314BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
CY7C1314BV18-167BZC | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
CY7C1314BV18-200BZC | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CY7C1306CV25-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512x36 QDR Burst2 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1308BV25-167BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk |
CY7C1308DV25-250BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:256KX36 2.5V DDR SRAM (4-WORD BURST) - Bulk |
CY7C1308DV25C-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1308DV25C-167BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 2.5V DDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |