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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1305BV25-133BZC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture |
| 中文描述： | 1M X 18 QDR SRAM, 3 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 3/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 247K |
| 代理商： | CY7C1305BV25-133BZC |
PRELIMINARY
CY7C1305BV25
CY7C1307BV25
Document #: 38-05630 Rev. **
Page 3 of 21
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Pin Configuration–CY7C1305BV25 (Top View)
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1305BV25-167BZC | 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture |
| CY7C1306BV25 | 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結(jié)構(gòu)，流水線SRAM) |
| CY7C1303BV25 | 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結(jié)構(gòu)，流水線SRAM) |
| CY7C1310BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1314BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1305BV25-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 2.5V QDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1305BV25-167BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 2.5V QDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1305TC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1305TV25-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 NV靜態(tài)隨機存取存儲器 167 MHz 2.5V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1305TV25-167BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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