參數(shù)資料
型號： CY7C1305BV25-133BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture
中文描述： 1M X 18 QDR SRAM, 3 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁數(shù)： 15/21頁
文件大?。?/td> 247K
代理商： CY7C1305BV25-133BZC
PRELIMINARY
CY7C1305BV25
CY7C1307BV25
Document #: 38-05630 Rev. **
Page 15 of 21
TAP Controller State Diagram
[26]
Note:
26.The 0/1 next to each state represents the value at TMS at the rising edge of TCK.
TEST-LOGIC
RESET
0
TEST-LOGIC/
IDLE
SELECT
DR-SCAN
CAPTURE-DR
SHIFT-DR
EXIT1-DR
PAUSE-DR
EXIT2-DR
UPDATE-DR
SELECT
IR-SCAN
CAPTURE-IR
SHIFT-IR
EXIT1-IR
PAUSE-IR
EXIT2-IR
UPDATE-IR
1
0
1
1
0
1
0
1
0
0
0
1
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0
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PDF描述
CY7C1305BV25-167BZC 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture
CY7C1306BV25 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結(jié)構(gòu)，流水線SRAM)
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參數(shù)描述
CY7C1305BV25-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 2.5V QDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1305BV25-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 2.5V QDR 靜態(tài)隨機存取存儲器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1305TC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1305TV25-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 NV靜態(tài)隨機存取存儲器 167 MHz 2.5V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1305TV25-167BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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