參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1305BV25-133BZC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture
中文描述： 1M X 18 QDR SRAM, 3 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 11/21頁(yè)
文件大小： 247K
代理商： CY7C1305BV25-133BZC
PRELIMINARY
CY7C1305BV25
CY7C1307BV25
Document #: 38-05630 Rev. **
Page 11 of 21
t
DOH
t
CHQX
Data Output Hold after Output C/C Clock Rise
(Active to Active)
Clock (C and C) rise to High-Z (Active to
High-Z)
[21, 22]
Clock (C and C) rise to Low-Z
[21, 22]
1.2
1.2
1.2
ns
t
CHZ
t
CHZ
2.5
3.0
3.0
ns
t
CLZ
Notes:
19.Unless otherwise noted, test conditions assume signal transition time of 2V/ns, timing reference levels of 0.75V,V
= 0.75V, RQ = 250
, V
DDQ
= 1.5V, input
pulse levels of 0.25V to 1.25V, and output loading of the specified I
/I
OH
and load capacitance shown in (a) of AC Test Loads.
20.This part has a voltage regulator that steps down the voltage internally; t
Power
is the time power needs to be supplied above V
DD
minimum initially before a Read
or Write operation can be initiated.
21.t
, t
, are specified with a load capacitance of 5 pF as in part (b) of AC Test Loads. Transition is measured ± 100 mV from steady-state voltage.
22.At any given voltage and temperature t
CHZ
is less than t
CLZ
and, t
CHZ
less than t
CO
.
t
CLZ
1.2
1.2
1.2
ns
Switching Characteristics
Over the Operating Range
[19]
(continued)
Cypress
Parameter
Consortium
Parameter
Description
167 MHz
Min.
133 MHz
Min.
100 MHz
Min.
Unit
Max.
Max.
Max.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1305BV25-167BZC 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture
CY7C1306BV25 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結(jié)構(gòu)，流水線SRAM)
CY7C1303BV25 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit，Burst of 2，QDR結(jié)構(gòu)，流水線SRAM)
CY7C1310BV18 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1314BV18 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1305BV25-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 2.5V QDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1305BV25-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 2.5V QDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1305TC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1305TV25-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 NV靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 167 MHz 2.5V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1305TV25-167BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*