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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1304V25 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 9-Mb Pipelined SRAM with QDR Architecture(帶QDR結(jié)構(gòu)的9-M位流水線式 SRAM) |
| 中文描述： | 9 - MB的流水線架構(gòu)的SRAM與國(guó)防評(píng)估報(bào)告（帶國(guó)防評(píng)估報(bào)告結(jié)構(gòu)的9米位流水線式的SRAM） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 216K |
| 代理商： | CY7C1304V25 |
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CY7C1304V25
Advanced Information
19
Capacitance
[19]
Parameter
Description
Test Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 2.5V
V
DDQ
= 1.5V
pF
C
CLK
Clock Input Capacitance
pF
C
O
Output Capacitance
pF
Note:
19. Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
1.25V
0.25V
R=50 W
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
ALL INPUT PULSES
1304V25-2
1304V25-3
Device
Under
Test
R
L
=50 W
Z
0
=50 W
V
REF
=0.75V
V
DDQ
/2
[16]
0.75V
V
DDQ
/2
Device
Under
Test
OUTPUT
V
DDQ
/2
V
REF
V
REF
OUTPUT
ZQ
ZQ
(a)
RQ=
250 W
(b)
RQ=
250 W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1305BV25-100BZC | 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture |
| CY7C1307BV25 | 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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