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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1304V25 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 9-Mb Pipelined SRAM with QDR Architecture(帶QDR結(jié)構(gòu)的9-M位流水線式 SRAM) |
| 中文描述： | 9 - MB的流水線架構(gòu)的SRAM與國(guó)防評(píng)估報(bào)告（帶國(guó)防評(píng)估報(bào)告結(jié)構(gòu)的9米位流水線式的SRAM） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 216K |
| 代理商： | CY7C1304V25 |
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CY7C1304V25
Advanced Information
12
TAP Controller Block Diagram
0
0
1
2
.
.
29
30
31
Boundary Scan Register
Identification Register
0
1
2
.
.
.
.
68
0
1
2
Instruction Register
Bypass Register
Selection
Circuitry
Selection
Circuitry
TAP Controller
TDI
TDO
TCK
TMS
TAP Electrical Characteristics
Over the Operating Range
[9, 10, 11]
Parameter
Description
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
V
OH1
Output HIGH Voltage
I
OH
=
2.0mA
I
OH
=
100
μ
A
1.7
V
V
OH2
Output HIGH Voltage
2.1
V
V
OL1
Output LOW Voltage
I
OL
= 2.0mA
I
OL
= 100
μ
A
0.7
V
V
OL2
Output LOW Voltage
0.2
V
V
IH
Input HIGH Voltage
1.7
V
DD
+0.3
V
V
IL
Input LOW Voltage
–
0.3
0.7
V
I
X
Input and OutputLoad Current
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
5
5
μ
A
9.
10. Overshoot: V
(AC)<V
+1.5V for t<t
/2, Undershoot V
(AC)<0.5V for t<t
/2, Power-up: VIH<2.6V and VDD<2.4V and VDDQ<1.4V for t<200ms.
11. These characteristic pertain to the TAP inputs (TMS, TCK, TDI and TDO). Parallel load levels are specified in the Electrical Characteristics Table.
All Voltage referenced to Ground.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1305BV25-100BZC | 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture |
| CY7C1307BV25 | 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture |
| CY7C1307BV25-100BZC | 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture |
| CY7C1307BV25-133BZC | 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture |
| CY7C1307BV25-167BZC | 18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with QDR Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1304V25-200BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:9MB PIPELINE QDR SRAM 2.5V CORE, FBGA - Trays |
| CY7C1305 WAF | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C13055DC | 制造商:CYPRESS 功能描述:* |
| CY7C130-55PC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1K x 8 Dual-Port 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1305BV25-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 2.5V QDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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