參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1303BV25
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 18-Mbit Burst of 2 Pipelined SRAM with QDR Architecture(18Mbit,Burst of 2,QDR結(jié)構(gòu),流水線SRAM)
中文描述: 18兆位的2四年防務(wù)審查架構(gòu)(18Mbit,2突發(fā)流水線SRAM的突發(fā),國(guó)防評(píng)估報(bào)告結(jié)構(gòu),流水線的SRAM)
文件頁(yè)數(shù): 10/19頁(yè)
文件大小: 821K
代理商: CY7C1303BV25
CY7C1306BV25
CY7C1303BV25
Document #: 38-05627 Rev. *A
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TAP Controller State Diagram
[9]
Note:
9. The 0/1 next to each state represents the value at TMS at the rising edge of TCK.
TEST-LOGIC
RESET
TEST-LOGIC/
IDLE
SELECT
DR-SCAN
CAPTURE-DR
SHIFT-DR
EXIT1-DR
PAUSE-DR
EXIT2-DR
UPDATE-DR
SELECT
IR-SCAN
CAPTURE-DR
SHIFT-IR
EXIT1-IR
PAUSE-IR
EXIT2-IR
UPDATE-IR
1
0
1
1
0
1
0
1
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1310BV18 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1314BV18 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
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CY7C1314BV18-200BZC 18-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
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參數(shù)描述
CY7C1303BV25-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 2.5V QDR 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1303BV25-167BZCES 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 1MX18 2.5NS 165FBGA - Bulk
CY7C1303TV25-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 NV靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 167 MHz 2.5V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1303V25-133BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V 18MBIT 1MX18 3NS 165FBGA - Trays
cy7c1303v25-167bzc 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V 18MBIT 1MX18 2.5NS 165FBGA - Trays