參數(shù)資料
型號： CY7C1250V18-300BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
中文描述： 1M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 24/27頁
文件大小： 1037K
代理商： CY7C1250V18-300BZI
CY7C1246V18
CY7C1257V18
CY7C1248V18
CY7C1250V18
Document Number: 001-06348 Rev. *C
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Speed
(MHz)
375
Ordering Code
CY7C1246V18-375BZC
CY7C1257V18-375BZC
CY7C1248V18-375BZC
CY7C1250V18-375BZC
CY7C1246V18-375BZXC
CY7C1257V18-375BZXC
CY7C1248V18-375BZXC
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CY7C1246V18-333BZC
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CY7C1257V18-333BZXI
CY7C1248V18-333BZXI
CY7C1250V18-333BZXI
Package
Diagram
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Package Type
Operating
Range
Commercial
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Industrial
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
333
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Commercial
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Industrial
51-85195 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
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PDF描述
CY7C1250V18-300BZXC 36-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
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參數(shù)描述
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CY7C1250V18-333BZI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1250V18-333BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 36-Mbit DDR-II+ 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1.8volts RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1250XC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1262XV18-366BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 366MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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