參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C106B-25VI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 256K x 4 Static RAM
中文描述： 256K X 4 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO28
封裝： 0.400 INCH, SOJ-28
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 161K
代理商： CY7C106B-25VI
CY7C106B
CY7C1006B
Document #: 38-05037 Rev. **
Page 4 of 10
Capacitance[4]
Parameter
Description
Test Conditions
Max.
Unit
CIN: Addresses
Input Capacitance
TA = 25°C, f = 1 MHz,
VCC = 5.0V
7pF
CIN: Controls
10
pF
COUT
Output Capacitance
10
pF
AC Test Loads and Waveforms
Note:
4.
Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
C106B–3
C106B–4
90%
10%
3.0V
GND
90%
10%
ALL INPUT PULSES
5V
OUTPUT
30 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
5V
OUTPUT
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R1 480
R1 480
R2
255
R2
255
167
Equivalent to:
THVENIN EQUIVALENT
1.73V
Rise Time < 1V/ns
Fall Time < 1V/ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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