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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY62158EV30 |
| 廠(chǎng)商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 8-Mbit (1024K x 8) Static RAM |
| 中文描述： | 8兆位（1024K × 8）靜態(tài)RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 921K |
| 代理商： | CY62158EV30 |
CY62158EV30 MoBL
Document #: 38-05578 Rev. *D
Page 4 of 11
Thermal Resistance
[9]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
BGA
72
TSOP II
76.88
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Still Air, soldered on a 3 x 4.5 inch,
two-layer printed circuit board
Θ
JC
8.86
13.52
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
V
CC
V
CC
OUTPUT
R2
30 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
OUTPUT
V
TH
Equivalent to:
THé
VENIN EQUIVALENT
R
TH
ALL INPUT PULSES
R1
Fall time: 1 V/ns
Rise Time: 1 V/ns
Parameters
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16667
15385
8000
1.20
3.0V
1103
1554
645
1.75
Unit
V
Data Retention Characteristics
(Over the Operating Range)
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
[4]
Max
Unit
V
DR
I
CCDR[8]
V
CC
for Data Retention
Data Retention Current
1.5
V
μ
A
V
CC
= 1.5V, CE
1
> V
CC
0.2V
or CE
2
< 0.2V, V
IN
> V
CC
0.2V
or V
IN
< 0.2V
2
5
t
CDR[9]
Chip Deselect to Data
Retention Time
0
ns
t
R[10]
Operation Recovery
Time
t
RC
ns
Data Retention Waveform
V
CC
, min
t
R
V
CC
, min
t
CDR
V
DR
> 1.5V
CE
1
or
V
CC
CE
2
DATA RETENTION MODE
Note
10.Full Device AC operation requires linear V
CC
ramp from V
DR
to V
CC(min)
> 100
μ
s or stable at V
CC(min)
> 100
μ
s.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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