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019 電容式傳聲器芯片
[摘要] 本技術電容式傳聲器芯片，涉及傳聲器技術，利用振膜和基底即背極形成電容檢測結構。振膜通過振膜支撐與背極上表面相連，形成懸臂結構或準振膜結構，振膜在水平方向上保持，充分的釋放振膜的殘余應力，提高振膜的上下振動性能；在振膜端邊緣有上止擋和下止擋，保持振膜的穩(wěn)定狀態(tài)；振膜端邊緣可制作懸梁結構，下止擋設在懸梁結構之下，保持振膜柔軟的振動特性。振膜邊緣設有的無數(shù)小孔改善頻響特性，同時作孔；本技術具有高靈敏度、低噪聲、頻帶寬的特性，芯片的體積小，制作工藝簡單，容易批量生產(chǎn)。
002 電容式傳聲器芯片
[摘要] 本技術電容式傳聲器芯片，涉及傳聲器技術，是振膜在上，背極在下的電容式結構。振膜由平面復合懸梁或懸梁結構支撐，使得振膜振動時應力分布均勻，可有效降低振膜與背極粘連，提高成品率；懸梁結構柔軟，振膜有良好的振動特性。背極只有中心部分懸空，外圍部分覆于基底之上，由基底支撐，增強背極的剛性；同時也可在背極懸空部分作加強筋，進一步提高背極的剛性。振膜邊緣設有無數(shù)的小孔，配合背極懸空部分的聲孔釋放振膜和背極之間原有的犧牲層，并對傳聲器的聲學特性有改善作用。本技術具有高靈敏度、低噪聲、頻帶寬的特性，芯片的體積小，制作工藝簡單，容易批量生產(chǎn)。
009 一種多晶硅振動膜硅微電容傳聲器芯片及其制備方法
[摘要] 本技術提供了一種多晶硅振動膜硅微電容傳聲器芯片及其制備方法。該硅微電容傳聲器芯片包括多晶硅振動膜、保護層、隔離層、空氣間隙、硅基片及其上的穿孔背板，該穿孔背板包括一摻雜層且具有由多個聲學孔，該聲學孔是刻蝕一連續(xù)的摻雜層形成。在該硅微電容傳聲器芯片的制備方法中，在所述硅基片的上表面形成一連續(xù)的摻雜層，該摻雜層形成硅微電容傳聲器芯片的至少一部分穿孔背板，從該連續(xù)的摻雜層的上表面向下刻蝕出由多個聲學孔組成的聲學孔圖案。本技術采用多晶硅作為振動膜，制作工藝與平面半導體工藝完全兼容；本技術還克服了深度選擇性濃硼擴散制作背板及背板穿孔所帶來的問題和困難，為工業(yè)化生產(chǎn)傳聲器芯片提供一套簡便易行的工藝。
006 一種硅微電容傳聲器芯片及其制備方法
[摘要] 本技術提供了一種硅微電容傳聲器芯片及制備方法。該傳聲器芯片包括硅基片及其上的穿孔背板、隔離層、振動膜和電極，隔離層位于穿孔背板和振動膜之間以便在它們之間形成空氣隙，該空氣隙具有無尖角的邊界。在該制備方法中，在硅基片的上表面之上形成一第一犧牲層，該第一犧牲層具有無尖角的邊界；在第一隔離層之上形成一第二犧牲層，該第一犧牲層的被速度大于第二犧牲層的被速度，從所述硅基片的下表面對所述硅基片進行體刻蝕，去除第一犧牲層和一部分第二犧牲層以形成空氣隙。本技術用于硅微電容傳聲器中的芯片及其制備方法，減小了振動膜的應力，大大提高了振動膜的靈敏度，避免了時效破裂。
011 一種防粘連的硅微電容傳聲器芯片及其制備方法
[摘要] 本技術涉及一種防粘連硅微電容傳聲器芯片及其制備方法，包括硅基片，穿孔背板，振動膜，電極，其特征在于，所述穿孔背板位于硅基片的空心區(qū)域上方，所述振動膜位于穿孔背板上方，由一環(huán)形的隔離支撐層支撐，振動膜與穿孔背板之間形成空氣隙；所述穿孔背板上表面制有凸起結構。制備方法由摻雜、制備凸起結構、淀積犧牲層和支撐層、、制備振動膜及電極等步驟組成。本技術由于具有防粘微突出的結構，避免了在犧牲層釋放時升華干燥工藝過程中以及工作過程中可能發(fā)生的粘連，大大提高了器件的合格率。同時本技術制備在下背板上的凸起結構方案能夠制備得到較厚的背板，有效的避免了以往上背板結構中制備防粘微突出方案中“軟”背板的問題。
005 一種傳聲器芯片及其制備方法
001 單膜電容式傳聲器芯片
007 一種硅微電容傳聲器芯片及其制備方法
008 一種硅微電容傳聲器芯片及其制備方法
015 一種硅微電容傳聲器芯片
018 單膜電容式傳聲器芯片
016 一種采用成熟工藝制作的技術硅微電容傳聲器芯片
012 電容式傳聲器芯片
018 單膜電容式傳聲器芯片
003 內(nèi)旋轉(zhuǎn)梁振膜及其組成的傳聲器芯片
014 內(nèi)旋轉(zhuǎn)梁振膜及其組成的傳聲器芯片
013 梁式振膜及其組成的傳聲器芯片
004 梁式振膜及其組成的傳聲器芯片
016 一種采用成熟工藝制作的技術硅微電容傳聲器芯片
以上19項技術包括在一張光盤內(nèi)
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