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[摘要] 在一存儲(chǔ)單元的溝槽電容器及后續(xù)形成的該存儲(chǔ)單元的選擇晶體管間的一埋入式帶接觸以此種方式被制造，使得該內(nèi)部電容器電極層在該溝槽電容器的溝槽內(nèi)被回蝕及接著該未被覆蓋絕緣體層在該溝槽壁被移除以定義該埋入式帶接觸面積的區(qū)域。之后，該內(nèi)襯層被沉積以覆蓋在該溝槽的該內(nèi)部電容器電極層及該未被覆蓋的溝槽壁及因而形成阻擋層。具該內(nèi)部電極層的材料之間隔物層接著形成于在該溝槽壁的該內(nèi)襯層。最后，該未被覆蓋的內(nèi)襯層在該內(nèi)部電極層上方被移除且該溝槽以該內(nèi)部電極層的材料填充以制造該埋入式帶接觸。
002 用于形成集成堆棧電容器的方法和結(jié)構(gòu)
[摘要] 本發(fā)明公開了一種集成電路器件結(jié)構(gòu)(及方法)。該結(jié)構(gòu)包括包含表面的襯底。第一摻雜多晶硅內(nèi)襯被定義在形成在耦合到襯底表面上的第一插塞上的第一溝槽區(qū)域中，第二摻雜多晶硅內(nèi)襯被定義在形成在耦合到襯底表面上的第二插塞上的第二溝槽區(qū)域中。第一與第二溝槽區(qū)域被預(yù)定尺寸隔離。該結(jié)構(gòu)還具有第一和第二粗糙多晶硅材料，第一粗糙多晶硅材料位于第一溝槽區(qū)域之中的第一摻雜多晶硅材料的表面上，第二粗糙多晶硅材料位于第二溝槽區(qū)域之中的第二摻雜多晶硅材料的表面上。第一和第二粗糙多晶硅材料不存在電接觸的可能性。有機(jī)材料被完全放置在第一和第二摻雜多晶硅內(nèi)襯之中，以保護(hù)位于第一和第二摻雜多晶硅內(nèi)襯的相應(yīng)表面之上的第一和第二粗糙多晶硅材料。
006 一種圓形薄膜電容器
004 一種熱封形成圓形薄膜電容器內(nèi)襯塑料芯管的工藝
003 設(shè)有電容器的半導(dǎo)體裝置的制造方法
[摘要] 由硅氮化膜20、25規(guī)定通孔28的底面和下部側(cè)面。在硅氧化膜19上形成硅氮化膜20。接觸插塞24的上端部從通孔28的底面突出。在硅氧化膜26上形成鎢膜27，釕膜30在鎢膜27上形成。通過使規(guī)定通孔28的側(cè)面的部分硅氧化膜26氮化，在硅氧化膜26的側(cè)面內(nèi)形成變質(zhì)層29。釕膜30不通過內(nèi)襯材料直接在通孔28的側(cè)面和底面上形成。由此得到一種能夠不用設(shè)置內(nèi)襯材料、改善層間絕緣膜與電容器下部電極之間的粘附性的設(shè)有電容器的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
005 電容器元件保護(hù)襯墊
以上6項(xiàng)技術(shù)包括在一張光盤內(nèi)
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