詳細(xì)信息
061 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元和其陣列、及該陣列的制造方法
[摘要] 本技術(shù)涉及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元和其陣列、及該陣列的制造方法。該動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元，包括基底上的半導(dǎo)體柱、半導(dǎo)體柱的側(cè)壁下部分的電容器以及半導(dǎo)體柱的側(cè)壁上部分的垂直晶體管。其中，電容器包括在半導(dǎo)體柱的側(cè)壁下部分的第一平板、在第一平板周圍且當(dāng)作上電極的第二平板、在第二平板周圍的第三平板以及將第二平板與第一及第三平板分離的介電層。其中，上述的第三平板電連接第一平板以形成下電極。此外，本技術(shù)基于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元，另提出動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器陣列及其制造方法。
071 半反射半穿透液晶顯示器的陣列基板的制造方法
[摘要] 一種半反射半穿透液晶顯示器的陣列基板的制造方法，包含：依序形成一透明導(dǎo)電層和一第一金屬層于一基板上；定義第一金屬層與透明導(dǎo)電層；依序形成一第一保護(hù)層和一第二金屬層于基板上；定義第二金屬層，以形成柵極、第一導(dǎo)線和電容線，其中電容線、其下的第一保護(hù)層與透明導(dǎo)電層構(gòu)成一儲(chǔ)存電容器；形成一介電層于基板上；移除像素穿透區(qū)域上方的介電層和第二金屬層和側(cè)邊的部分第一保護(hù)層，移除第一導(dǎo)線的一末端周圍的介電層和第一保護(hù)層；形成一信道區(qū)域于柵極正上方的介電層上；形成一第三金屬層于基板上；定義第三金屬層；形成一第二保護(hù)層于基板上；以及定義第二保護(hù)層和第一保護(hù)層。減少了使用的掩膜數(shù)，提高穿透區(qū)的開(kāi)口率及顯示器的輝度。
074 薄膜晶體管陣列及其驅(qū)動(dòng)電路的制造方法
[摘要] 一種薄膜晶體管陣列以及驅(qū)動(dòng)電路的制造方法，包括：提供基板，并依次形成多晶硅層和第一導(dǎo)電類型的摻雜薄膜；執(zhí)行第一光掩模工藝，形成多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)；執(zhí)行第二光掩模工藝，在第一導(dǎo)電類型的摻雜薄膜中注入第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)域；在所得結(jié)構(gòu)上形成第一導(dǎo)體層，并執(zhí)行第三光掩模工藝，形成源極和漏極以及存儲(chǔ)電容器的下電極；在所得結(jié)構(gòu)上形成第一介電層和第二導(dǎo)體層，并執(zhí)行第四光掩模工藝，形成柵絕緣層和柵極的堆疊結(jié)構(gòu)，同時(shí)形成存儲(chǔ)電容器介電層和上電極；在所得結(jié)構(gòu)上形成保護(hù)層，并執(zhí)行第五光掩模工藝，形成各個(gè)所述源極和漏極以及存儲(chǔ)電容器上電極的開(kāi)口；在所得結(jié)構(gòu)上形成導(dǎo)電層，并執(zhí)行第六光掩模工藝，形成導(dǎo)線和像素電極。
080 具有MOS晶體管的半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元陣列及其制造方法
[摘要] 在一種包括存儲(chǔ)單元陣列的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中，每個(gè)存儲(chǔ)單元包括溝槽電容器和選擇晶體管，溝槽電容器包括內(nèi)部電極、外部電極以及配置在內(nèi)部電極和外部電極之間的電介質(zhì)層，選擇晶體管包括第一源/漏區(qū)、第二源/漏區(qū)以及配置在第一源/漏區(qū)和第二源/漏區(qū)之間凹槽中的溝道區(qū)，每個(gè)存儲(chǔ)單元的溝槽電容器和選擇晶體管并排配置，選擇晶體管的第一源/漏區(qū)電連接到溝槽電容器的內(nèi)部電極，其中形成有選擇晶體管溝道區(qū)的凹槽自對(duì)準(zhǔn)地位于存儲(chǔ)單元的溝槽電容器和相鄰存儲(chǔ)單元的溝槽電容器之間。
022 超小型電容器陣列
[摘要] 一個(gè)在超小型集成封裝上具有多個(gè)電容器的電子器件。該器件在封裝的一個(gè)終端側(cè)上具有多個(gè)終端結(jié)構(gòu)，以便倒置地安裝到印刷電路板。各終端被很寬地隔開(kāi)，以便在它們之間設(shè)置單個(gè)電容器。該器件利用薄膜制作技術(shù)形成在適宜的基底上。對(duì)于每個(gè)電容器優(yōu)選地使用具有高介電常數(shù)的鉛基介電材料，以便在較小的板面積上提供較大的電容值。
067 陣列基板與包含陣列基板的顯示設(shè)備
021 一種用一連續(xù)頂部電極匹配電容器陣列的改進(jìn)的布局技術(shù)
052 TFT陣列方法
014 多層穿心式電容器陣列
026 一種可編程非易失性存儲(chǔ)器單元、陣列及其制造方法
062 多層片狀電容器陣列
077 晶體管陣列面板
056 液晶顯示器的陣列基板及其制造方法
018 雙柵襯底極板動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元陣列
009 具有用于平面柵格陣列連接器的元件的載臺(tái)
010 有源陣列顯示器的基底
007 主動(dòng)陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動(dòng)電路
016 擴(kuò)散隱埋極板溝槽DRAM單元陣列
107 疊層電容器陣列
105 有源矩陣陣列裝置
079 噪聲濾波器和噪聲濾波器陣列
041 薄膜晶體管液晶顯示面板、其陣列基板及其制作方法
086 液晶顯示器件的陣列基板及其制造方法
110 地埋式蝶形陣列
001 具有強(qiáng)電介質(zhì)電容器的存儲(chǔ)單元陣列及其制造方法以及強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)裝置
094 由MOS晶體管進(jìn)行開(kāi)關(guān)的電容器陣列
012 雙柵襯底極板動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元陣列
092 陣列基板、液晶顯示面板及電子裝置
037 主動(dòng)元件陣列結(jié)構(gòu)
088 具有用于高速輸入 輸出電路的能量輸送與去耦的嵌入式電容陣列封裝及其構(gòu)成方法
048 陣列和采用該陣列的無(wú)線通信裝置
024 集成存儲(chǔ)單元陣列
017 多路復(fù)用有源生物陣列
076 存儲(chǔ)單元陣列及其形成方法
030 一次性可編程非易失性存儲(chǔ)器單元、陣列及其制造方法
093 液晶顯示面板的陣列基板
002 帶有光敏元的矩陣陣列顯示裝置
106 層疊電容器陣列
035 陣列濾波器
084 貫通型積層電容器陣列
011 低電感格柵陣列電容器
100 層疊型貫通電容器陣列
044 薄膜電容器、薄膜電容器陣列及電子部件
109 貫通型層疊電容器陣列
039 用于固態(tài)輻射成像器的存儲(chǔ)電容器陣列
054 對(duì)傳感器陣列中的像素執(zhí)行相關(guān)雙重子采樣的方法和電路
008 薄膜存儲(chǔ)器、陣列及其操作方法和制造方法
083 存儲(chǔ)單元陣列及其制造方法
006 球柵陣列封裝件的具有改進(jìn)旁通去耦的印刷電路板組件
050 TFT陣列及其方法、裝置
065 檢驗(yàn)陣列襯底的方法和裝置
090 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
095 低通濾波器和低通濾波器陣列
085 區(qū)域陣列零件的共用通路退耦
081 蝕刻帶及使用該蝕刻帶制造液晶顯示器的陣列基板的方法
020 操作電容薄膜晶體管陣列的方法
075 具有用以實(shí)現(xiàn)全柵格插座的空隙的陣列電容器
066 形成散熱片的組合式散熱去耦電容器陣列和電源分布插入組件
096 具有用于能量輸送和在中頻范圍內(nèi)去耦的嵌入式電容器陣列的封裝及其構(gòu)成方法
032 多比特可編程非易失性存儲(chǔ)器單元、陣列及其制造方法
082 檢查陣列基板的方法
033 多比特可編程非易失性存儲(chǔ)器單元、陣列及其制造方法
043 有源陣列有機(jī)發(fā)光二極管像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法
068 陣列基板及其制造方法、顯示面板和液晶顯示裝置
070 提供用于溝槽電容器陣列的掩埋板的結(jié)構(gòu)和方法
029 用于檢測(cè)與時(shí)間相關(guān)的圖像數(shù)據(jù)的光敏元件陣列
099 制造薄膜晶體管陣列基底的方法
087 用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列板及其制造方法
003 具有同心環(huán)形板陣列的用于深亞微型CMOS的多層電容器結(jié)構(gòu)
053 具有帶有自舉電容器的開(kāi)光電路的陣列器件
104 使用陣列電容器核心的封裝
051 基于晶體管柵極氧化物擊穿的組合可編程門(mén)陣列
057 薄膜晶體管陣列及其驅(qū)動(dòng)電路的制造方法
040 薄膜電晶體陣列及畫(huà)素結(jié)構(gòu)
049 TFT陣列方法
045 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
063 多層片狀電容器和多層片狀電容器陣列
064 陣列板的檢查方法及其檢查設(shè)備
013 擴(kuò)散隱埋極板溝槽ＤＲＡＭ單元陣列
089 液晶顯示器的像素陣列結(jié)構(gòu)及其制造方法
091 疊層型穿心電容器陣列
102 疊層電容器陣列
069 陣列襯底、具有陣列襯底的液晶顯示面板及具有陣列襯底的液晶顯示裝置
108 貫通型層疊電容器陣列
005 電容器陣列
019 薄膜晶體管陣列及其制造方法
098 基于液體介質(zhì)的振動(dòng)式靜電微型發(fā)電機(jī)及其陣列
059 觸覺(jué)傳感器元件和傳感器陣列
038 電路陣列基板
036 液晶顯示陣列及液晶顯示面板
103 液晶顯示器及其薄膜晶體管陣列板
028 貫通電容器陣列
072 形成存儲(chǔ)單元陣列的方法和存儲(chǔ)單元陣列
027 一種可編程非易失性存儲(chǔ)器單元、陣列及其制造方法
097 疊層電容器陣列
055 多層陣列電容及其制作方法
004 具有球柵陣列接線端的交叉電容器
060 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
034 陣列面板及其驅(qū)動(dòng)方法
042 液晶顯示器及其薄膜晶體管陣列板
031 多比特可編程非易失性存儲(chǔ)器單元、陣列及其制造方法
101 層疊電容器陣列
025 可以電子方式變化的電容器陣列
078 具有提高孔徑比的陣列基板及其制造方法、以及顯示裝置
046 薄膜晶體管陣列面板及包括該面板的液晶顯示器
023 存儲(chǔ)單元陣列以及形成該存儲(chǔ)單元陣列的方法
047 晶體管結(jié)構(gòu)、存儲(chǔ)單元及其陣列、及存儲(chǔ)器制造方法
015 具有基準(zhǔn)單元陣列塊的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器器件
058 生物傳感器及傳感單元陣列
073 電聲元件、陣列型超聲波器以及超聲波診斷裝置
以上110項(xiàng)技術(shù)包括在一張光盤(pán)內(nèi)
本店鋪提供的技術(shù)資料均為發(fā)明專利、實(shí)用新型專利和科研成果，資料中有專利號(hào)、專利全文、技術(shù)說(shuō)明書(shū)、技術(shù)配方、技術(shù)關(guān)鍵、工藝流程、圖紙、質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)、專家姓名等詳實(shí)資料。所有技術(shù)資料均為電子圖書(shū)（PDF格式），承載物是光盤(pán)，可以郵寄光盤(pán)也可以用互聯(lián)網(wǎng)將數(shù)據(jù)發(fā)到客戶指定的電子郵箱（網(wǎng)傳免收郵費(fèi)，郵寄光盤(pán)加收15元快遞費(fèi)）。
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