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050 TFT陣列及其方法、裝置
[摘要] 本技術(shù)提供一種TFT陣列及其裝置，其可于電流拷貝型像素中，在接近實(shí)際使用狀態(tài)的狀態(tài)下，測(cè)定驅(qū)動(dòng)用晶體管的電流量且像素是否存在缺陷。上述問題可通過一種像素的TFT陣列而解決，其特征在于含有像素，該像素包含控制電流量的晶體管、連接于上述晶體管的柵極端子與源極端子之間的電容器、連接于上述晶體管的柵極端子與漏極端子之間的第一開關(guān)、實(shí)行上述第一開關(guān)的控制的第一控制線、一端連接于上述晶體管的漏極端子的第二開關(guān)，以及實(shí)行上述第二開關(guān)的控制的第二控制線。
101 層疊電容器陣列
[摘要] 本技術(shù)涉及一種層疊電容器陣列，其包括，具有相對(duì)的長方形的第1和第2主面的電容器素體。在具有介電特性的電容器素體中，第1內(nèi)部電極配置在第1區(qū)域中，第2內(nèi)部電極配置在第2區(qū)域中，第3和第4內(nèi)部電極跨越第1和第2區(qū)域而配置。各第3內(nèi)部電極與至少1個(gè)第1內(nèi)部電極相對(duì)，并且與至少一個(gè)第2內(nèi)部電極相對(duì)。各第4內(nèi)部電極與至少1個(gè)第1內(nèi)部電極相對(duì)，并且與至少一個(gè)第2內(nèi)部電極相對(duì)。各第3內(nèi)部電極在與多個(gè)第4內(nèi)部電極的一個(gè)之間夾住電容器素體的一部分相鄰接。
074 薄膜晶體管陣列及其驅(qū)動(dòng)電路的制造方法
[摘要] 一種薄膜晶體管陣列以及驅(qū)動(dòng)電路的制造方法，包括：提供基板，并依次形成多晶硅層和第一導(dǎo)電類型的摻雜薄膜；執(zhí)行第一光掩模工藝，形成多個(gè)島狀結(jié)構(gòu)；執(zhí)行第二光掩模工藝，在第一導(dǎo)電類型的摻雜薄膜中注入第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)域；在所得結(jié)構(gòu)上形成第一導(dǎo)體層，并執(zhí)行第三光掩模工藝，形成源極和漏極以及存儲(chǔ)電容器的下電極；在所得結(jié)構(gòu)上形成第一介電層和第二導(dǎo)體層，并執(zhí)行第四光掩模工藝，形成柵絕緣層和柵極的堆疊結(jié)構(gòu)，同時(shí)形成存儲(chǔ)電容器介電層和上電極；在所得結(jié)構(gòu)上形成保護(hù)層，并執(zhí)行第五光掩模工藝，形成各個(gè)所述源極和漏極以及存儲(chǔ)電容器上電極的開口；在所得結(jié)構(gòu)上形成導(dǎo)電層，并執(zhí)行第六光掩模工藝，形成導(dǎo)線和像素電極。
033 多比特可編程非易失性存儲(chǔ)器單元、陣列及其制造方法
[摘要] 本技術(shù)提供了一種多比特可編程非易失性存儲(chǔ)器單元、陣列及其制造方法，包括：字線、位線、源線以及位于字線、位線和源線之間的多個(gè)存儲(chǔ)器單元；其中，所述存儲(chǔ)單元中的晶體管的柵極與字線連接；所述存儲(chǔ)單元中的晶體管的漏極與電容器串聯(lián)連接至位線上；所述存儲(chǔ)單元中的晶體管的源極與源線連接；所述電容器由金屬層、接觸孔、阻擋層和有源區(qū)依次連接形成；所述電容器在不同預(yù)定電壓作用下，經(jīng)過不同預(yù)定作用時(shí)間后，產(chǎn)生多種預(yù)定電阻值；所述多種預(yù)定電阻值用于表征存儲(chǔ)單元的多種存儲(chǔ)狀態(tài)。通過本技術(shù)大大提高了存儲(chǔ)器單個(gè)存儲(chǔ)器單元存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的能力和存儲(chǔ)穩(wěn)定性、進(jìn)一步縮小了存儲(chǔ)器的面積，從而更有利于大規(guī)模集成電路的應(yīng)用。
095 低通濾波器和低通濾波器陣列
[摘要] 低通濾波器，具備電容器、第1可變電阻和第2可變電阻、電阻元件、和第1～第3外部電極。電容器包括，具有互相相對(duì)的第1面和第2面的電介體、和第1～第3內(nèi)部電極。第1可變電阻、第2可變電阻和電阻元件，配置于電介體的第1面。第1～第3外部電極，配置于電介體的第2面。第1內(nèi)部電極，物理連接且電連接于第3外部電極。第2內(nèi)部電極，物理連接且電連接于第2外部電極。第3內(nèi)部電極，物理連接且電連接于第1外部電極。第1可變電阻，并聯(lián)連接于由第1內(nèi)部電極和第3內(nèi)部電極構(gòu)成的電容器。第2可變電阻，并聯(lián)連接于由第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極構(gòu)成的電容器。電阻元件，分別電連接于第2內(nèi)部電極和第3內(nèi)部電極。
029 用于檢測(cè)與時(shí)間相關(guān)的圖像數(shù)據(jù)的光敏元件陣列
017 多路復(fù)用有源生物陣列
098 基于液體介質(zhì)的振動(dòng)式靜電微型發(fā)電機(jī)及其陣列
058 生物傳感器及傳感單元陣列
075 具有用以實(shí)現(xiàn)全柵格插座的空隙的陣列電容器
109 貫通型層疊電容器陣列
071 半反射半穿透液晶顯示器的陣列基板的制造方法
080 具有MOS晶體管的半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元陣列及其制造方法
051 基于晶體管柵極氧化物擊穿的組合可編程門陣列
038 電路陣列基板
110 地埋式蝶形陣列
011 低電感格柵陣列電容器
034 陣列面板及其驅(qū)動(dòng)方法
032 多比特可編程非易失性存儲(chǔ)器單元、陣列及其制造方法
060 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
066 形成散熱片的組合式散熱去耦電容器陣列和電源分布插入組件
070 提供用于溝槽電容器陣列的掩埋板的結(jié)構(gòu)和方法
055 多層陣列電容及其制作方法
009 具有用于平面柵格陣列連接器的元件的載臺(tái)
093 液晶顯示面板的陣列基板
022 超小型電容器陣列
079 噪聲濾波器和噪聲濾波器陣列
106 層疊電容器陣列
053 具有帶有自舉電容器的開光電路的陣列器件
004 具有球柵陣列接線端的交叉電容器
047 晶體管結(jié)構(gòu)、存儲(chǔ)單元及其陣列、及存儲(chǔ)器制造方法
082 檢查陣列基板的方法
073 電聲元件、陣列型超聲波器以及超聲波診斷裝置
094 由MOS晶體管進(jìn)行開關(guān)的電容器陣列
041 薄膜晶體管液晶顯示面板、其陣列基板及其制作方法
091 疊層型穿心電容器陣列
076 存儲(chǔ)單元陣列及其形成方法
085 區(qū)域陣列零件的共用通路退耦
059 觸覺傳感器元件和傳感器陣列
018 雙柵襯底極板動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元陣列
016 擴(kuò)散隱埋極板溝槽DRAM單元陣列
084 貫通型積層電容器陣列
028 貫通電容器陣列
083 存儲(chǔ)單元陣列及其制造方法
031 多比特可編程非易失性存儲(chǔ)器單元、陣列及其制造方法
036 液晶顯示陣列及液晶顯示面板
081 蝕刻帶及使用該蝕刻帶制造液晶顯示器的陣列基板的方法
035 陣列濾波器
048 陣列和采用該陣列的無線通信裝置
040 薄膜電晶體陣列及畫素結(jié)構(gòu)
001 具有強(qiáng)電介質(zhì)電容器的存儲(chǔ)單元陣列及其制造方法以及強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)裝置
056 液晶顯示器的陣列基板及其制造方法
023 存儲(chǔ)單元陣列以及形成該存儲(chǔ)單元陣列的方法
046 薄膜晶體管陣列面板及包括該面板的液晶顯示器
089 液晶顯示器的像素陣列結(jié)構(gòu)及其制造方法
008 薄膜存儲(chǔ)器、陣列及其操作方法和制造方法
003 具有同心環(huán)形板陣列的用于深亞微型CMOS的多層電容器結(jié)構(gòu)
015 具有基準(zhǔn)單元陣列塊的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器器件
090 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
045 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
069 陣列襯底、具有陣列襯底的液晶顯示面板及具有陣列襯底的液晶顯示裝置
064 陣列板的檢查方法及其檢查設(shè)備
012 雙柵襯底極板動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元陣列
107 疊層電容器陣列
068 陣列基板及其制造方法、顯示面板和液晶顯示裝置
088 具有用于高速輸入 輸出電路的能量輸送與去耦的嵌入式電容陣列封裝及其構(gòu)成方法
087 用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列板及其制造方法
063 多層片狀電容器和多層片狀電容器陣列
044 薄膜電容器、薄膜電容器陣列及電子部件
013 擴(kuò)散隱埋極板溝槽ＤＲＡＭ單元陣列
019 薄膜晶體管陣列及其制造方法
077 晶體管陣列面板
103 液晶顯示器及其薄膜晶體管陣列板
054 對(duì)傳感器陣列中的像素執(zhí)行相關(guān)雙重子采樣的方法和電路
037 主動(dòng)元件陣列結(jié)構(gòu)
002 帶有光敏元的矩陣陣列顯示裝置
005 電容器陣列
061 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)單元和其陣列、及該陣列的制造方法
078 具有提高孔徑比的陣列基板及其制造方法、以及顯示裝置
026 一種可編程非易失性存儲(chǔ)器單元、陣列及其制造方法
108 貫通型層疊電容器陣列
020 操作電容薄膜晶體管陣列的方法
099 制造薄膜晶體管陣列基底的方法
052 TFT陣列方法
043 有源陣列有機(jī)發(fā)光二極管像素驅(qū)動(dòng)電路及其驅(qū)動(dòng)方法
065 檢驗(yàn)陣列襯底的方法和裝置
092 陣列基板、液晶顯示面板及電子裝置
010 有源陣列顯示器的基底
067 陣列基板與包含陣列基板的顯示設(shè)備
062 多層片狀電容器陣列
006 球柵陣列封裝件的具有改進(jìn)旁通去耦的印刷電路板組件
104 使用陣列電容器核心的封裝
096 具有用于能量輸送和在中頻范圍內(nèi)去耦的嵌入式電容器陣列的封裝及其構(gòu)成方法
105 有源矩陣陣列裝置
014 多層穿心式電容器陣列
072 形成存儲(chǔ)單元陣列的方法和存儲(chǔ)單元陣列
049 TFT陣列方法
025 可以電子方式變化的電容器陣列
102 疊層電容器陣列
027 一種可編程非易失性存儲(chǔ)器單元、陣列及其制造方法
057 薄膜晶體管陣列及其驅(qū)動(dòng)電路的制造方法
086 液晶顯示器件的陣列基板及其制造方法
100 層疊型貫通電容器陣列
039 用于固態(tài)輻射成像器的存儲(chǔ)電容器陣列
030 一次性可編程非易失性存儲(chǔ)器單元、陣列及其制造方法
097 疊層電容器陣列
007 主動(dòng)陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅(qū)動(dòng)電路
042 液晶顯示器及其薄膜晶體管陣列板
021 一種用一連續(xù)頂部電極匹配電容器陣列的改進(jìn)的布局技術(shù)
024 集成存儲(chǔ)單元陣列
以上110項(xiàng)技術(shù)包括在一張光盤內(nèi)
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