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050 TFT陣列及其方法、裝置
[摘要] 本技術提供一種TFT陣列及其裝置，其可于電流拷貝型像素中，在接近實際使用狀態(tài)的狀態(tài)下，測定驅動用晶體管的電流量且像素是否存在缺陷。上述問題可通過一種像素的TFT陣列而解決，其特征在于含有像素，該像素包含控制電流量的晶體管、連接于上述晶體管的柵極端子與源極端子之間的電容器、連接于上述晶體管的柵極端子與漏極端子之間的第一開關、實行上述第一開關的控制的第一控制線、一端連接于上述晶體管的漏極端子的第二開關，以及實行上述第二開關的控制的第二控制線。
101 層疊電容器陣列
[摘要] 本技術涉及一種層疊電容器陣列，其包括，具有相對的長方形的第1和第2主面的電容器素體。在具有介電特性的電容器素體中，第1內(nèi)部電極配置在第1區(qū)域中，第2內(nèi)部電極配置在第2區(qū)域中，第3和第4內(nèi)部電極跨越第1和第2區(qū)域而配置。各第3內(nèi)部電極與至少1個第1內(nèi)部電極相對，并且與至少一個第2內(nèi)部電極相對。各第4內(nèi)部電極與至少1個第1內(nèi)部電極相對，并且與至少一個第2內(nèi)部電極相對。各第3內(nèi)部電極在與多個第4內(nèi)部電極的一個之間夾住電容器素體的一部分相鄰接。
074 薄膜晶體管陣列及其驅動電路的制造方法
[摘要] 一種薄膜晶體管陣列以及驅動電路的制造方法，包括：提供基板，并依次形成多晶硅層和第一導電類型的摻雜薄膜；執(zhí)行第一光掩模工藝，形成多個島狀結構；執(zhí)行第二光掩模工藝，在第一導電類型的摻雜薄膜中注入第二導電類型的摻雜區(qū)域；在所得結構上形成第一導體層，并執(zhí)行第三光掩模工藝，形成源極和漏極以及存儲電容器的下電極；在所得結構上形成第一介電層和第二導體層，并執(zhí)行第四光掩模工藝，形成柵絕緣層和柵極的堆疊結構，同時形成存儲電容器介電層和上電極；在所得結構上形成保護層，并執(zhí)行第五光掩模工藝，形成各個所述源極和漏極以及存儲電容器上電極的開口；在所得結構上形成導電層，并執(zhí)行第六光掩模工藝，形成導線和像素電極。
033 多比特可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
[摘要] 本技術提供了一種多比特可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法，包括：字線、位線、源線以及位于字線、位線和源線之間的多個存儲器單元；其中，所述存儲單元中的晶體管的柵極與字線連接；所述存儲單元中的晶體管的漏極與電容器串聯(lián)連接至位線上；所述存儲單元中的晶體管的源極與源線連接；所述電容器由金屬層、接觸孔、阻擋層和有源區(qū)依次連接形成；所述電容器在不同預定電壓作用下，經(jīng)過不同預定作用時間后，產(chǎn)生多種預定電阻值；所述多種預定電阻值用于表征存儲單元的多種存儲狀態(tài)。通過本技術大大提高了存儲器單個存儲器單元存儲數(shù)據(jù)的能力和存儲穩(wěn)定性、進一步縮小了存儲器的面積，從而更有利于大規(guī)模集成電路的應用。
095 低通濾波器和低通濾波器陣列
[摘要] 低通濾波器，具備電容器、第1可變電阻和第2可變電阻、電阻元件、和第1～第3外部電極。電容器包括，具有互相相對的第1面和第2面的電介體、和第1～第3內(nèi)部電極。第1可變電阻、第2可變電阻和電阻元件，配置于電介體的第1面。第1～第3外部電極，配置于電介體的第2面。第1內(nèi)部電極，物理連接且電連接于第3外部電極。第2內(nèi)部電極，物理連接且電連接于第2外部電極。第3內(nèi)部電極，物理連接且電連接于第1外部電極。第1可變電阻，并聯(lián)連接于由第1內(nèi)部電極和第3內(nèi)部電極構成的電容器。第2可變電阻，并聯(lián)連接于由第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極構成的電容器。電阻元件，分別電連接于第2內(nèi)部電極和第3內(nèi)部電極。
029 用于檢測與時間相關的圖像數(shù)據(jù)的光敏元件陣列
017 多路復用有源生物陣列
098 基于液體介質的振動式靜電微型發(fā)電機及其陣列
058 生物傳感器及傳感單元陣列
075 具有用以實現(xiàn)全柵格插座的空隙的陣列電容器
109 貫通型層疊電容器陣列
071 半反射半穿透液晶顯示器的陣列基板的制造方法
080 具有MOS晶體管的半導體存儲單元陣列及其制造方法
051 基于晶體管柵極氧化物擊穿的組合可編程門陣列
038 電路陣列基板
110 地埋式蝶形陣列
011 低電感格柵陣列電容器
034 陣列面板及其驅動方法
032 多比特可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
060 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
066 形成散熱片的組合式散熱去耦電容器陣列和電源分布插入組件
070 提供用于溝槽電容器陣列的掩埋板的結構和方法
055 多層陣列電容及其制作方法
009 具有用于平面柵格陣列連接器的元件的載臺
093 液晶顯示面板的陣列基板
022 超小型電容器陣列
079 噪聲濾波器和噪聲濾波器陣列
106 層疊電容器陣列
053 具有帶有自舉電容器的開光電路的陣列器件
004 具有球柵陣列接線端的交叉電容器
047 晶體管結構、存儲單元及其陣列、及存儲器制造方法
082 檢查陣列基板的方法
073 電聲元件、陣列型超聲波器以及超聲波診斷裝置
094 由MOS晶體管進行開關的電容器陣列
041 薄膜晶體管液晶顯示面板、其陣列基板及其制作方法
091 疊層型穿心電容器陣列
076 存儲單元陣列及其形成方法
085 區(qū)域陣列零件的共用通路退耦
059 觸覺傳感器元件和傳感器陣列
018 雙柵襯底極板動態(tài)隨機存取存儲器單元陣列
016 擴散隱埋極板溝槽DRAM單元陣列
084 貫通型積層電容器陣列
028 貫通電容器陣列
083 存儲單元陣列及其制造方法
031 多比特可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
036 液晶顯示陣列及液晶顯示面板
081 蝕刻帶及使用該蝕刻帶制造液晶顯示器的陣列基板的方法
035 陣列濾波器
048 陣列和采用該陣列的無線通信裝置
040 薄膜電晶體陣列及畫素結構
001 具有強電介質電容器的存儲單元陣列及其制造方法以及強電介質存儲裝置
056 液晶顯示器的陣列基板及其制造方法
023 存儲單元陣列以及形成該存儲單元陣列的方法
046 薄膜晶體管陣列面板及包括該面板的液晶顯示器
089 液晶顯示器的像素陣列結構及其制造方法
008 薄膜存儲器、陣列及其操作方法和制造方法
003 具有同心環(huán)形板陣列的用于深亞微型CMOS的多層電容器結構
015 具有基準單元陣列塊的鐵電隨機存取存儲器器件
090 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
045 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法
069 陣列襯底、具有陣列襯底的液晶顯示面板及具有陣列襯底的液晶顯示裝置
064 陣列板的檢查方法及其檢查設備
012 雙柵襯底極板動態(tài)隨機存取存儲器單元陣列
107 疊層電容器陣列
068 陣列基板及其制造方法、顯示面板和液晶顯示裝置
088 具有用于高速輸入 輸出電路的能量輸送與去耦的嵌入式電容陣列封裝及其構成方法
087 用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列板及其制造方法
063 多層片狀電容器和多層片狀電容器陣列
044 薄膜電容器、薄膜電容器陣列及電子部件
013 擴散隱埋極板溝槽ＤＲＡＭ單元陣列
019 薄膜晶體管陣列及其制造方法
077 晶體管陣列面板
103 液晶顯示器及其薄膜晶體管陣列板
054 對傳感器陣列中的像素執(zhí)行相關雙重子采樣的方法和電路
037 主動元件陣列結構
002 帶有光敏元的矩陣陣列顯示裝置
005 電容器陣列
061 動態(tài)隨機存取存儲單元和其陣列、及該陣列的制造方法
078 具有提高孔徑比的陣列基板及其制造方法、以及顯示裝置
026 一種可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
108 貫通型層疊電容器陣列
020 操作電容薄膜晶體管陣列的方法
099 制造薄膜晶體管陣列基底的方法
052 TFT陣列方法
043 有源陣列有機發(fā)光二極管像素驅動電路及其驅動方法
065 檢驗陣列襯底的方法和裝置
092 陣列基板、液晶顯示面板及電子裝置
010 有源陣列顯示器的基底
067 陣列基板與包含陣列基板的顯示設備
062 多層片狀電容器陣列
006 球柵陣列封裝件的具有改進旁通去耦的印刷電路板組件
104 使用陣列電容器核心的封裝
096 具有用于能量輸送和在中頻范圍內(nèi)去耦的嵌入式電容器陣列的封裝及其構成方法
105 有源矩陣陣列裝置
014 多層穿心式電容器陣列
072 形成存儲單元陣列的方法和存儲單元陣列
049 TFT陣列方法
025 可以電子方式變化的電容器陣列
102 疊層電容器陣列
027 一種可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
057 薄膜晶體管陣列及其驅動電路的制造方法
086 液晶顯示器件的陣列基板及其制造方法
100 層疊型貫通電容器陣列
039 用于固態(tài)輻射成像器的存儲電容器陣列
030 一次性可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
097 疊層電容器陣列
007 主動陣列電激發(fā)光式顯示屏中的像素驅動電路
042 液晶顯示器及其薄膜晶體管陣列板
021 一種用一連續(xù)頂部電極匹配電容器陣列的改進的布局技術
024 集成存儲單元陣列
以上110項技術包括在一張光盤內(nèi)
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