氮化鋁金錫合金熱沉 氮化鉭芯片電阻 背光墊片 過渡塊

產(chǎn)品（樣品）參數(shù)

      光電通信器件中的各種背光墊塊、電容墊塊、PD載體、MPD載體、過渡基板、陶瓷熱沉等，用于各類激光器、探測器、發(fā)射器、光放大器等光電器件產(chǎn)品中芯片的貼裝墊塊和引出端連接墊片。
  
  陶瓷基片厚度：0.1 0.127 0.15、0.25、0.3、0.38、0.5、0.635、0.8、1.0、1.2、1.5mm可選；
  
  載體材料：氧化鋁（AL2O3）陶瓷、氮化鋁（ALN）陶瓷、微晶玻璃、硅片、鐵氧體系列；
  
  金屬膜層材料：鈦鉑金Ni、Cr、Ti、TiW、NiV、NiCr合金、AL、Cu、Au等
  
  最小加工尺寸：0.2×0.2mm；
  
  鍍金方式：單面、雙面、側面局部鍍金孔金屬化。