詳細(xì)信息
陶瓷基片，又稱陶瓷基板，是以電子陶瓷為基底，對(duì)膜電路元件及外貼切元件形成一個(gè)支撐底座的片狀材料。
按照陶瓷基片應(yīng)用領(lǐng)域的不同，又分為HIC（混合集成電路）陶瓷基片、聚焦電位器陶瓷基片、激光加熱定影陶瓷基片、片式電阻基片、網(wǎng)絡(luò)電阻基片等；按加工方式的不同，陶瓷基片分為模壓片、激光劃線片兩大類。
模壓片
主要特點(diǎn)
陶瓷基片具有耐高溫、電絕緣性能高、介電常數(shù)和介質(zhì)損耗低、熱導(dǎo)率大、化學(xué)穩(wěn)定性好、與元件的熱膨脹系數(shù)相近等主要優(yōu)點(diǎn)，但陶瓷基片較脆，制成的基片面積較小，成本高。
發(fā)展方向
隨著微電子技術(shù)的進(jìn)步，微加工工藝的特征線寬已達(dá)亞微米級(jí)，一塊基板上可以集成106～109個(gè)以上元件，電路工作的速度越來越快、頻率越來越高，這對(duì)基板材料的性能提出了更高的要求。作為混合集成電路（HIC）和多芯片組件（MCM）的關(guān)鍵材料之一，基板占其總成本的60%左右。陶瓷基板發(fā)展的總方向是低介電常數(shù)、高熱導(dǎo)率和低成本化。
目前，實(shí)際生產(chǎn)和開發(fā)應(yīng)用的陶瓷基片材料有Al2O3、AlN、SiC、BeO、BN、莫來石和玻璃陶瓷等。其中，BeO和SiC熱導(dǎo)率很高（³250W/m.K），但BeO因具有毒性，應(yīng)用范圍小，故產(chǎn)量低；SiC因體積電阻較?。?lt;1013W·cm）、介電常數(shù)較大（40）、介電損耗較高（50），不利于信號(hào)的傳輸，且成型工藝復(fù)雜、設(shè)備昂貴，故應(yīng)用范圍也很??；AlN陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，具有很高的熱導(dǎo)率（理論值為319W/m.K，商品化的AlN基片熱導(dǎo)率大于140W/m.k）、較低的介電常數(shù)（8.8）和介電損耗（～4×104）、以及和硅相配比的熱膨脹系數(shù)（4.4×10－4/℃）等優(yōu)點(diǎn)，但由于成本居高，一直沒能大規(guī)模應(yīng)用；Al2O3陶瓷基片雖然熱導(dǎo)率不高（20W/m.K），但因其生產(chǎn)工藝相對(duì)簡單，成本較低，價(jià)格便宜，成為目前最廣泛應(yīng)用的陶瓷基片。
氧化鋁陶瓷基片,是一種超導(dǎo)熱，超耐壓的導(dǎo)熱絕緣材料。導(dǎo)熱系數(shù)25W/m.K，耐壓12000V左右。是大功率導(dǎo)熱設(shè)備的首先。
主要用于大功大功率設(shè)備中的IC、MOS管、IGBT貼片式導(dǎo)熱絕緣作用。高頻電源IC、通訊、機(jī)械設(shè)備等用于強(qiáng)電流、強(qiáng)電壓、超高溫時(shí)需要導(dǎo)熱絕緣的部位。有更好的功能輔助作用。讓設(shè)備更好的發(fā)揮性能。
物理性能用于超高導(dǎo)熱、高抗電壓絕緣體、耐高溫、耐磨損、高強(qiáng)度。
可訂做最大規(guī)格尺寸 180*200MM左右，厚度0.5-10MM ; 氧化鋁材質(zhì):96%\\99%;
特點(diǎn):
1、熱阻0.3度-IN平方/W(@50PSI)
2、導(dǎo)熱系數(shù)25W/m.K超高導(dǎo)熱以及絕緣耐壓12KV的超高絕緣性能
3、高強(qiáng)度氧化鋁陶瓷基片
4、性能穩(wěn)定有效解決因散熱不良，而造成IC老化等問題
常用規(guī)格：T0-220、T0-247、T0-264等
常規(guī)尺寸(單位MM)：20*26*1、20*26*1有孔、22*28*1有孔、24*18.5*0.63有孔、26*48*0.63、21*37*0.63、38.7*24.1*0.63、98*21*0.63、115*115*0.63、138*188*0.63等?？筛鶕?jù)客戶圖紙要求加工。
96%氧化鋁陶瓷基片，應(yīng)用于電子元器件的封裝，電鍍，導(dǎo)熱絕緣，耐強(qiáng)壓強(qiáng)電流等產(chǎn)品中。
線路板用陶瓷基片,采用優(yōu)質(zhì)96-99%氧化鋁陶瓷材料，高強(qiáng)度、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化、高壽命等特點(diǎn)。
LED燈類的陶瓷基片，可以代加陶瓷表面金屬電阻位。歡迎來人來電咨詢與恰談，并免費(fèi)提供樣品。