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[摘要] 本發(fā)明提供了相對于環(huán)境溫度上升來說熱突出較小的薄膜磁頭。其中，下部屏蔽層或上部屏蔽層中的至少一方使用熱膨脹系數(shù)在11.5×10-6
109 抗輻射薄膜繞包絕緣安裝線
[摘要] 一種抗輻射薄膜繞包絕緣安裝線，它屬于電纜。它主要是解決現(xiàn)有抗輻射薄膜繞包絕緣導線易松散、不耐輻射、編織層毛刺容易刺入絕緣層而存在的潛在危險等技術問題。其技術方案要點是：由鍍銀銅導線絞成的芯線的外周繞包聚四氟乙烯薄膜絕緣層，聚四氟乙烯薄膜絕緣層的外周繞包聚酰亞胺薄膜層。它克服了現(xiàn)有抗輻射薄膜繞包絕緣導線易松散、不耐輻射、編織層毛刺容易刺入絕緣層而存在的潛在危險等缺點；而且具有重量輕、外徑小、屏蔽性能高、屏蔽層處理簡單、絕緣層機械強度好、且耐油、抗輻射、耐高溫、耐振動、抗沖擊、導線過載能力強等優(yōu)越性能。適應于航空、航天領域，尤其適用于飛行器和彈體上等飛行環(huán)境。
086 薄膜磁頭
[摘要] 對于TMR元件，電極用作磁屏蔽，或者反之亦然。這產(chǎn)生這樣一種問題：來自加熱器源或電磁感應的噪聲對于TMR元件即對于讀信號具有直接影響。薄膜磁頭部分1b具有按如下順序從滑塊1a側層疊的絕緣膜150、加熱器4、電磁屏蔽50、讀元件2及寫元件3；將以上構成元件彼此隔離的絕緣膜152、及覆蓋上述全部的保護膜154。加熱器4是由NiCr等制成的薄膜電阻性元件，并且布置在絕緣膜150上方。電磁屏蔽50是由坡莫合金等制成的磁性膜，并且覆蓋加熱器4。讀元件2包括下部屏蔽和電極21、TMR元件23、及上部屏蔽和電極24。寫元件3包括下部磁極片31、上部磁極片33、及形成在它們之間的線圈35。薄膜磁頭部分1b形成有共用終端C。
040 用于制備薄膜的單晶硅輻射式加熱器
[摘要] 本實用新型涉及一種薄膜制備技術，特別是涉及一種薄膜制備中用加熱器制造技術領域。本實用新型為了制備均勻厚度的大面積雙面超導薄膜，從而提供一種由單晶硅加工成凹型的加熱板，它通過金屬夾板把電極固定在輻射屏蔽架子上構成單晶硅輻射基片加熱器。該加熱器使用溫度達１０００℃，恒溫區(qū)可達７０×７０ｍｍ２
067 帶有用于調(diào)節(jié)磁距的加熱器的薄膜磁頭
[摘要] 一種具有更高突出效率的薄膜磁頭，其包括：帶有空氣支承表面(ABS)的襯底；包括下和上屏蔽層的讀頭元件，和包括磁極層的寫頭元件；加熱元件，其相對于所述讀頭元件和所述寫頭元件設在與ABS相對的位置；和散熱元件，其包括散熱層，該散熱層設在與所述下和上屏蔽層以及所述磁極層中的至少一層的所述ABS一側的端部相對的端部附近，所述散熱元件具有一種形狀，使得沿所述ABS一側的端部的軌道寬度方向的圖案寬度大于沿著與所述ABS一側的所述端部相對的端部的軌道寬度方向的圖案寬度。
110 金屬屏蔽層屏蔽的PVDF壓電薄膜膠基封裝應變計
014 高聚物熱粘結薄膜
078 聚吡咯-聚氯乙烯薄膜修飾味覺傳感器陣列及其檢測方法
025 屏蔽薄膜及其制造方法、使用該薄膜的電路基片制造方法
101 大面積薄膜電路
027 一種表面金屬化的高分子薄膜及其制備方法
035 氣囊織物多層薄膜的干式層壓
114 微波旋轉薄膜濃縮器
023 金屬化用雙軸取向聚丙烯薄膜、金屬化雙軸取向聚丙烯薄膜及使用它的疊層體
072 整體沖破式復合材料薄膜蓋
026 屏蔽性薄膜
085 薄膜磁頭
054 薄膜厚度測量裝置和反射系數(shù)測量與異物檢測裝置和方法
045 行動電話的薄膜天線模塊
024 具有含蠟間同立構屏蔽層的多層薄膜
061 半導體薄膜、薄膜晶體管、及其制造方法和制造設備
043 配置具有屏蔽效應的電纜的薄膜晶體管彩色顯示面板模塊
102 導電薄膜及其制備方法、以及透明電磁屏蔽薄膜
051 用激光結晶化法加工襯底上半導體薄膜區(qū)域的方法和屏蔽投影系統(tǒng)
068 智能化光屏蔽薄膜材料的制備方法
037 經(jīng)硼先驅薄膜實現(xiàn)二硼化鎂超導薄膜布圖布線方法及裝置
036 一種二硼化鎂超導薄膜布圖布線方法及裝置
111 易碎復合材料薄膜蓋
079 一種二氧化錳 水滑石無機納米片復合超薄膜及其制備方法
091 電磁波屏蔽性粘合薄膜、其制備方法以及被粘合物的電磁波屏蔽方法
073 易碎復合材料薄膜蓋
008 多路型薄膜磁頭組件及制造方法
031 薄膜半導體器件與液晶顯示單元及其制作方法
001 抗反射光學多層薄膜
028 彩色顯像管薄膜地磁屏蔽方法
006 雙掃描薄膜處理系統(tǒng)
012 化合物薄膜形成裝置
094 平板氮化硅薄膜PECVD沉積系統(tǒng)
033 一種反射帶寬可控的液晶薄膜材料的制備方法
029 一種金屬化有機薄膜電容器及其制作方法
019 穿心式薄膜電容器及裝有該電容器的干擾信號去除組件
046 薄膜磁頭的制造方法
041 薄膜氣平衡眼壓計
103 具有2D或3D圖案的模內(nèi)薄膜
030 一種薄膜電容器及其制作方法
063 用于制備多組分薄膜的多蒸發(fā)源系統(tǒng)
070 透明的氣體屏蔽性層合薄膜、電致發(fā)光元件、電致發(fā)光顯示裝置以及電泳顯示板
064 一種鐵電薄膜材料I-V特性的測量方法及測量裝置
010 薄膜屏蔽
090 導電層合薄膜
032 一種在磁性顆粒表面包覆二氧化鈦晶態(tài)薄膜的方法
117 一種用于新型絕緣體上半導體薄膜電學表征的測試系統(tǒng)
060 熱等離子體霧態(tài)氣化制備薄膜的裝置
007 一種自動對準光屏蔽層的薄膜晶體管
077 薄膜磁頭、磁頭折片組合、磁頭臂組合、磁記錄裝置以及薄膜磁頭制造方法
081 薄膜晶體管基板及其制造方法和具有該基板的液晶顯示器
076 電磁波屏蔽薄膜及其制造方法
004 光選擇性Ce Fe玻璃薄膜及其制備方法
116 平板氮化硅薄膜PECVD沉積系統(tǒng)
047 磁性納米復合薄膜及其溶膠凝膠制備方法
011 薄膜晶體管-液晶顯示器的驅動電路
065 印刷線路板用屏蔽薄膜及其制造方法
058 一種聚合物薄膜表面的化學鍍鎳導電薄膜及其制備方法
095 半導體薄膜結晶及半導體器件制造方法
034 用于利用薄膜揚聲器控制有源噪聲的方法和裝置
053 Ag基合金薄膜及Ag基合金薄膜形成用濺射靶
113 整體沖破式復合材料薄膜蓋
088 一種吹塑薄膜界面分子膜配方及其生產(chǎn)工藝
022 薄膜器裝置中使用的薄膜揚聲器
015 薄膜用溶劑阻擋劑和多層屏蔽涂層
021 薄膜磁頭
002 含有金屬納米條的組合物、涂膜、高分子薄膜、光學濾光片
013 薄膜復合磁頭
062 用于液晶顯示器的薄膜晶體管陣列面板及液晶顯示器
098 一種具有寬波反射的高分子穩(wěn)定液晶薄膜材料的制備方法
107 鐵電薄膜低壓電阻率測試裝置
083 電磁波屏蔽薄膜與光學功能性薄膜貼合用膠粘劑和含有該貼合用膠粘劑的顯示板濾波元件
055 薄膜晶體管、TFT基片和液晶顯示器
084 導電性薄膜
044 一種電感耦合射頻等離子體輔助鎢絲加熱制備薄膜的化學氣相沉積裝置
082 等離子體增強沉積薄膜裝置的基片臺
108 鏡面薄膜開關
018 薄膜磁頭
074 復合薄膜磁頭、磁頭組件和磁盤驅動裝置
050 復合型薄膜磁頭
016 極端部對準的薄膜復合MR頭
106 用于制備薄膜的熱催化器
066 具有加熱器的薄膜磁頭、磁頭萬向組件、及磁盤驅動裝置
097 雙層摻混結構碳納米管薄膜場發(fā)射陰極及其制備方法
099 磁阻效應型薄膜磁頭及其制造方法
052 形成透明導電薄膜的涂層液，帶薄膜的基層及顯示設備
038 微波旋轉薄膜濃縮器
005 在掃描探針顯微鏡懸臂及其針尖上沉積薄膜的方法
017 疊層薄膜及包裝材料
056 平板顯示裝置中的EMI屏蔽薄膜及包含該薄膜的前端濾光器
003 半導體薄膜的形成方法和半導體薄膜的形成裝置
093 一種鉭摻雜氧化錫透明導電薄膜的制備方法
071 納米晶軟磁合金薄膜材料及其制備方法
100 一種智能化屏蔽入射光的薄膜材料的制備方法
020 改進的薄膜晶體管，其制作方法及裝有此薄膜晶體管的矩陣顯示器
115 一種貼片式薄膜開關
048 薄膜晶體管陣列面板及包括它的液晶顯示器
089 薄膜晶體管基板、液晶顯示面板及其制造方法
009 聚烯烴系統(tǒng)多層薄膜
080 制備樹脂薄膜和層狀制品的方法
057 薄膜的制造方法及濺射裝置
105 半透明防靜電屏蔽薄膜
049 撓性導電薄膜
092 一種金屬復合纖維或金屬復合薄膜的制備工藝
112 聚吡咯—聚氯乙烯薄膜修飾味覺傳感器
039 雙層環(huán)保氣相防銹薄膜及其制備方法
087 薄膜晶體管與像素結構及其制造方法
075 一種低成本高效聚乙烯導電復合薄膜及其制備方法
096 一種薄膜太陽能電池的鍍膜涂裝用屏蔽、及使用該屏蔽的方法及系統(tǒng)
104 利用蝕刻與沉積工藝制造改進式薄膜型太陽能電池互連的方法
042 屏蔽式薄膜開關
069 一種復合電磁屏蔽薄膜材料及其制造方法
以上117項技術包括在一張光盤內(nèi)，
所有技術資料均為國家發(fā)明專利、實用新型專利和科研成果，資料中有專利號、專利全文、技術說明書、技術配方、技術關鍵、工藝流程、圖紙、質(zhì)量標準、專家姓名等詳實資料。所有技術資料均為電子圖書（PDF格式），承載物是光盤，可以郵寄光盤也可以用互聯(lián)網(wǎng)將數(shù)據(jù)發(fā)到客戶指定的電子郵箱（網(wǎng)傳免收郵費，郵寄光盤加收15元快遞費）。
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